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J-GLOBAL ID：201202296022805804   整理番号：12A1237530

触媒としてZnを使用したPECVDによる低温におけるシリカナノワイヤの合成

Synthesis of silica nanowires by PECVD at low temperature using Zn as a catalyst

著者 (2件)： CHOI Cham-Sol (Kangwon National Univ., Dep. of Physics, 200-701, Chuncheon, Gangwon-do, KOR) ,  YOON Jong-Hwan (Kangwon National Univ., Dep. of Physics, 200-701, Chuncheon, Gangwon-do, KOR)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 108  号： 3  ページ： 509-513  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマCVDによりSiH₄及びN₂Oの混合気体で生成したシリコン(Si)及び酸素(O)の化学蒸気中でZn膜をアニールしてアモルファスシリカナノワイヤ(NW)を簡単に作製した。得られたシリカNWはシリコンリッチ酸化物(SiO_x)相をもっていることが分かった。SiO_xの酸素組成(xの値)は二つの気体の混合比を変えることにより制御した。それぞれ200sccm及び60sccmの流量で得たSiH₄及びN₂Oの混合物を使用して生成したSi及びO中で10分間380°CでZn膜(~300nm)をアニールすると,平均直径~250nmの形のはっきりしたシリカ(SiO_1.34)NWが形成されることが分かった。それらはSiO_x材料に特徴的な550nmにピーク中心をもつ発光を示した。NWはZn/ZnOで触媒された気相-固相プロセスを介して成長すると思われた。Copyright 2012 Springer-Verlag Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  *プラズマCVD ,  シラン ,  酸化二窒素 ,  *亜鉛 ,  金属薄膜 ,  *触媒 ,  *薄膜成長 ,  光ルミネセンス ,  可視発光スペクトル ,  焼なまし ,  *二酸化ケイ素
準シソーラス用語： *シリカ ,  *アモルファスシリカ ,  *VS成長

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (4件)： 触媒 ,  Zn ,  PECVD ,  低温