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J-GLOBAL ID：201202296050825101   整理番号：12A0870930

交差ブリッジKelvin抵抗を使ったコンタクト抵抗抽出における誤差伝搬

Error Propagation in Contact Resistivity Extraction Using Cross-Bridge Kelvin Resistors

著者 (3件)： GUDMUNDSSON Valur (KTH Royal Inst. Technol., Kista, SWE) ,  HELLSTROEM Per-Erik (KTH Royal Inst. Technol., Kista, SWE) ,  OESTLING Mikael (KTH Royal Inst. Technol., Kista, SWE)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 6  ページ： 1585-1591  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： コンタクト比抵抗(ρ_c)測定には交差Kelvin抵抗(CBKR)が使われる。ρ_cが充分に大きい時はρ_c=R_c・L²(R_c:コンタクト抵抗,L:コンタクト窓の一辺)で与えられるが,ρ_cが小さいときにはシステマティック誤差に対する補正が必要である。システマティック誤差を考慮した後,一般化曲線でランダム誤差伝搬を求めた。解析の結果,ρ_c<R_s・L²の時,ρ_cの抽出は測定量のランダム誤差に著しく敏感になることがわかった。低いコンタクト比抵抗を測定するにはCBKRはコンタクト面積を小さくR_sを低く設計すべきである。さらに,コンタクト比抵抗の相対誤差を制御するために高精度でコンタクト面積を測定すべきである。デバイス寸法測定の1%誤差がρ_c見積もりの50%誤差に繋がる。

シソーラス用語： *接触抵抗 ,  電気抵抗率 ,  *Kelvin法 ,  接触電位差 ,  伝搬 ,  誤差 ,  系統誤差
準シソーラス用語： ランダム誤差 ,  *誤差伝搬 ,  比抵抗

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 交差 ,  ブリッジ ,  コンタクト抵抗 ,  誤差伝搬