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J-GLOBAL ID：201202296258661579   整理番号：12A1030216

グラフェン素子での読出し及び書込み電荷

Reading and writing charge on graphene devices

著者 (8件)： CONNOLLY M. R. (Cavendish Lab., Dep. of Physics, Univ. of Cambridge, Cambridge CB3 0HE, GBR) ,  HERBSCHLEB E. D. (Cavendish Lab., Dep. of Physics, Univ. of Cambridge, Cambridge CB3 0HE, GBR) ,  PUDDY R. K. (Cavendish Lab., Dep. of Physics, Univ. of Cambridge, Cambridge CB3 0HE, GBR) ,  ROY M. (Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of Leicester, Univ. Road, Leicester LE1 7RH, GBR) ,  ANDERSON D. (Cavendish Lab., Dep. of Physics, Univ. of Cambridge, Cambridge CB3 0HE, GBR) ,  JONES G. A. C. (Cavendish Lab., Dep. of Physics, Univ. of Cambridge, Cambridge CB3 0HE, GBR) ,  MAKSYM P. (Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of Leicester, Univ. Road, Leicester LE1 7RH, GBR) ,  SMITH C. G. (Cavendish Lab., Dep. of Physics, Univ. of Cambridge, Cambridge CB3 0HE, GBR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 2  ページ： 023505-023505-4  発行年： 2012年07月09日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電荷書き込みと走査ゲート顕微鏡の組み合わせを用いて,グラフェン電界効果素子の局所電荷中性点をマップし,修正した。グラフェン-金属界面に亘って薄い誘電体層における遠隔電荷を書込み,局所電荷中性点におけるシフトを検出する技術を実証した。静電シミュレーションを行い,実際の走査プローブチップ,堆積電荷,及びグラフェン間の相互作用をキャラクタライズし,実験結果との半定量的一致を見出した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 固体素子 ,  データ書込 ,  *走査型プローブ顕微鏡 ,  *電荷 ,  炭素材 ,  金属 ,  *界面 ,  誘電体 ,  シミュレーション ,  相互作用 ,  キャラクタリゼーション ,  グラフェン
準シソーラス用語： *グラフェン素子 ,  *電荷書込 ,  *読出し ,  走査ゲート顕微鏡 ,  電界効果素子 ,  *中性点

分類 (2件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： グラフェン素子 ,  読出し ,  書込み ,  電荷