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J-GLOBAL ID：201202296285664806   整理番号：12A0172158

MgOマトリックス中のSnO₂なの結晶の量子閉込め効果とバンドギャップ工学

Quantum confinement effects and band gap engineering of SnO₂ nanocrystals in a MgO matrix

著者 (6件)： SAHANA M.b. (Dep. of Physics and Astronomy, Wayne State Univ., Detroit, MI 48201, USA) ,  SUDAKAR C. (Dep. of Physics and Astronomy, Wayne State Univ., Detroit, MI 48201, USA) ,  DIXIT A. (Dep. of Physics and Astronomy, Wayne State Univ., Detroit, MI 48201, USA) ,  THAKUR J.s. (Dep. of Physics and Astronomy, Wayne State Univ., Detroit, MI 48201, USA) ,  NAIK R. (Dep. of Physics and Astronomy, Wayne State Univ., Detroit, MI 48201, USA) ,  NAIK V.m. (Dep. of Natural Sciences, Univ. of Michigan-Dearborn, Dearborn, MI 48128, USA)
資料名： Acta Materialia  (Acta Materialia)
巻： 60  号： 3  ページ： 1072-1078  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： A0316A  ISSN： 1359-6454  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： xSnO₂-(100-x)MgO(xはモル%)ナノ結晶複合材料薄膜中のSnO₂ナノ結晶形成について報告した。SnO₂とMgOとは750°C以下では強い不混和性挙動を示すので,その組成を変えることによってMgOなとリックス中のSnO₂の粒径を制御することができる。SnO₂の粒径は熱処理温度を高くすることによっても制御できる。750°C以上では,MgOとSnO₂は反応してMgO-Mg₂SnO₄-SnO₂複合材料を形成するが,SnO₂ナノ結晶の粒径は温度の上昇と共に大きくなる。組成と熱処理温度を制御することによって,SnO₂のバンドギャップを3.89eVから4.5eVに連続的に変化させることができる。この現象を量子閉込め効果の観点から考察した。この方法はナノ構造複合材料のバンドギャップを広いエネルギー範囲に調整するために汎用的に用いることができる。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化スズ ,  *ナノ結晶 ,  *ナノ複合材料 ,  酸化マグネシウム ,  *薄膜 ,  熱処理 ,  *結晶粒径 ,  温度依存性 ,  濃度依存性 ,  *バンドギャップ ,  *量子閉込め ,  化合物半導体
準シソーラス用語： セラミックス複合材料

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： MgO ,  マトリックス ,  結晶 ,  量子閉込め ,  バンドギャップ ,  工学