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J-GLOBAL ID：201202296357237126   整理番号：12A0507760

4H-SiC基板上のZr-酸窒化物薄膜の金属-酸化物-半導体特性

Metal-Oxide-Semiconductor Characteristics of Zr-Oxynitride Thin Film on 4H-SiC Substrate

著者 (2件)： WONG Yew Hoong (Universiti Sains Malaysia, Penang, MYS) ,  CHEONG Kuan Yew (Universiti Sains Malaysia, Penang, MYS)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 159  号： 3  ページ： H293-H299  発行年： 2012年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる酸化/窒化温度(400~900°C)のN₂O 雰囲気における,4H-SiC基板上の酸化/窒化Zr膜の構造的および電気的性質を示した。TEM画像から,バルクのZr-酸窒化物は非晶質Zr-Nおよび/またはZr-O-Nを埋込んだ多結晶のZrO₂から成ることが分かった。界面層(IL)はZr-O,Zr-N,Zr-O-N,Zr-Si-O,Si-NおよびC-Nの準化学量論および化学量論で構成し,非晶質構造であった。この結果はXRDおよびRamanの成績で支持され,ZrO₂は正方晶系相であることが分かった。これらの特性はMOS構造で評価される膜の電気的特性と関連した。電気的特性から,500°Cで酸化/窒化した試料は,最も高い電気絶縁場を示したことが確認された。これは,界面の捕獲密度,総界面の捕獲密度,効率的酸化物電荷の減少および膜と半導体の伝導バンドエッジ間の障壁高さの増大に起因するものであった。

シソーラス用語： *ジルコニウム化合物 ,  *酸化物 ,  *窒化物 ,  半導体薄膜 ,  炭化ケイ素 ,  基板 ,  *MOS構造 ,  構造特性 ,  電気的性質 ,  電流電圧特性 ,  透過型電子顕微鏡 ,  結晶構造 ,  非晶質 ,  多結晶 ,  境界層 ,  化学量論 ,  X線回折 ,  Ramanスペクトル ,  正方晶系 ,  *電気絶縁 ,  密度 ,  キャリア捕獲 ,  捕獲中心 ,  伝導バンド ,  高さ ,  障壁
準シソーラス用語： 界面層 ,  構造的性質 ,  *酸窒化物 ,  障壁高さ ,  絶縁性 ,  捕獲密度

分類 (5件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  塩  (CD01050V) ,  絶縁材料  (NA04030W) ,  固-固界面  (CB12060M) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 4H-SiC ,  Zr ,  酸窒化物 ,  薄膜 ,  酸化物