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J-GLOBAL ID：201202296359089345   整理番号：12A0779968

MEMSパッケージにより誘発された容量性ひずみセンサの温度依存性とシステム設計の検討

PACKAGE-INDUCED TEMPERATURE DEPENDENCE OF MEMS CAPACITIVE STRAIN SENSOR AND SYSTEM DESIGN CONSIDERATIONS

著者 (3件)： YOUNG Darrin J. (Univ. Utah, Utah, USA) ,  SUSTER Michael A. (Case Western Reserve Univ., Ohio, USA) ,  KO Wen H. (Case Western Reserve Univ., Ohio, USA)
資料名： Technical Digest. IEEE Micro Electro Mechanical Systems  (Technical Digest. IEEE Micro Electro Mechanical Systems)
巻： 25th Vol.1  ページ： 583-586  発行年： 2012年 
JST資料番号： W0377A  ISSN： 1084-6999  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MEMSひずみセンサと低電力インターフェース回路から構成された高性能ひずみセンサモジュールは,ボールベアリング,回転シャフトおよび刃に対する点応力およびトルク検知などの工業的センシング応用にとって重要な技術である。現在,容量性MEMSひずみセンサは,その高感度,大きなダイナミックレンジ,および低い温度依存性のために,幅広く用いられている。しかしながら,センサをターゲットの金属表面にパッケージングして取り付けした後は,全体のセンシングシステムは,シリコン,金属表面,およびボンディング接着剤の熱拡散係数の違いにより引き起こされた,パッケージ誘発された大幅な温度依存性を示す。本研究では,注意深く動作温度範囲にわたりシステム特性化を行い,システムの最適設計を検討した。その結果,ステンレス金属表面に取り付けたプロトタイプのひずみ検知モジュールの-20°から150°Cの温度特性を明らかにした。

シソーラス用語： *センサ ,  *MEMS ,  *温度依存性 ,  *システム設計 ,  消費電力 ,  電気回路 ,  表面 ,  拡散係数 ,  温度
準シソーラス用語： インタフェイス回路 ,  金属表面 ,  低電力 ,  動作温度 ,  熱拡散係数 ,  *歪センサ

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  計測機器一般  (AD02000X)

タイトルに関連する用語 (7件)： MEMS ,  パッケージ ,  誘発 ,  容量性 ,  ひずみセンサ ,  温度依存性 ,  システム設計