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J-GLOBAL ID：201202296569349668   整理番号：12A1333467

high-κゲート誘電体を用いたInGaAs量子井戸電界効果トランジスタのチャネル厚さ依存性

Channel Thickness Dependence of InGaAs Quantum-Well Field-Effect Transistors With High-κ Gate Dielectrics

著者 (7件)： XUE Fei (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  JIANG Aiting (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  ZHAO Han (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  CHEN Yen-Ting (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  WANG Yanzhen (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  ZHOU Fei (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  LEE Jack (Univ. Texas at Austin, TX, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 9  ページ： 1255-1257  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： In_0.7Ga_0.3As量子井戸電界効果トランジスタのスケーリングと性能向上に関する知見を得るため,デバイス特性へのチャネル厚さの影響を調査した。チャネル厚さを5nmおよび10nmとし,high-κゲート誘電体Al₂O₃を用いたデバイス(最小ゲート長40nm)を作製し,解析と性能比較を行った。薄いチャネル(5nm)の方がサブ閾値特性とDIBL特性に優るが,同時に電流駆動特性や実効チャネル移動度の低下という不都合も生ずることを示した。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  量子井戸 ,  誘電体薄膜 ,  *チャネル ,  *依存性 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  閾値 ,  短チャネル効果 ,  電流
準シソーラス用語： DIBL ,  high-k膜 ,  サブ閾値 ,  チャネル移動度 ,  ドレイン電流 ,  *厚さ依存性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲート誘電体 ,  InGaAs ,  量子井戸 ,  電界効果トランジスタ ,  チャネル ,  厚さ依存性