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J-GLOBAL ID：201202296581240655   整理番号：12A1763423

Gaのドープされた連続的なCzochralski成長シリコンに関する深準位過渡分光および少数キャリア寿命の研究

Deep level transient spectroscopy and minority carrier lifetime study on Ga-doped continuous Czochralski silicon

著者 (5件)： YOON Yohan (Dep. of Materials Sci. and Engineering, North Carolina State Univ., Raleigh, North Carolina 27695, USA) ,  YAN Yixin (Dep. of Materials Sci. and Engineering, North Carolina State Univ., Raleigh, North Carolina 27695, USA) ,  OSTROM Nels P. (GT Advanced Technologies, Hazelwood, Missouri 63042, USA) ,  KIM Jinwoo (Dep. of Physics, North Carolina State Univ., Raleigh, North Carolina 27695, USA) ,  ROZGONYI George (Dep. of Materials Sci. and Engineering, North Carolina State Univ., Raleigh, North Carolina 27695, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 22  ページ： 222107-222107-4  発行年： 2012年11月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 任意のドーパントに関する抵抗率のばらつきおよび偏析が少ないために,従来のCz法に比べて太陽光発電に適したSiウエハを作製するための実行可能な技術として,連続的なCzochralski(c-Cz)結晶成長法を提案する。従来のp型シリコンウェハ中のホウ素-酸素トラップによる光誘起の劣化を排除するために,ガリウムドープのウエハをc-Cz法によって育成し,四端子プローブ,深準位過渡分光(DLTS法)およびマイクロ波を用いた光伝導減衰法によって研究した。c-Czシリコンインゴットの半径方向および軸方向の位置におけるキャリア寿命の不均一な低減に関与する主な寿命キラーとして,鉄-ガリウムに関係する電気的に活性な欠陥をDLTS法で明らかにした。少数キャリア寿命と電気的に活性なFe-Ga対の濃度の間の直接的な相関関係を明確にすることができた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *Czochralski法 ,  *ケイ素 ,  半導体 ,  深準位過渡分光法 ,  *キャリア寿命 ,  *電気伝導率 ,  空間分布 ,  分散【variance】 ,  偏析 ,  太陽光発電 ,  太陽電池 ,  P型半導体 ,  *ドーピング ,  ホウ素 ,  *不純物 ,  酸素 ,  捕獲中心 ,  マイクロ波 ,  光伝導 ,  減衰 ,  鉄 ,  ガリウム
準シソーラス用語： ばらつき

分類 (4件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ga ,  ドープ ,  成長 ,  シリコン ,  深準位過渡分光 ,  少数キャリア寿命 ,  研究