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J-GLOBAL ID：201202296793760071   整理番号：12A1217312

Cr蒸着n型Si(001)ウエハにおけるCr(OH)₃/n-Si Schottky障壁の崩壊と原子架橋型表面光起電力の成長

Collapse of Cr(OH)₃/n-Si Schottky barrier and growth of atomic bridging-type surface photovoltages in Cr-deposited n-type Si(001) wafers

著者 (2件)： SHIMIZU Hirofumi (Nihon Univ., Koriyama, JPN) ,  SANADA Yuji (Nihon Univ., Koriyama, JPN)
資料名： Surface and Interface Analysis  (Surface and Interface Analysis)
巻： 44  号： 8  ページ： 1035-1038  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 比較的低温での熱酸化において,いかにCr(OH)₃/n-Si Schottky障壁接触が崩壊し,そしてCr誘導負電荷が成長するかの証拠を提供することを目的とした。Cr水溶液リンスしたn型Si(001)ウエハにおいて,100°Cで短時間の室温および/または熱酸化での空気暴露は,Cr(OH)₃/n-Si Schottky障壁を崩壊した。さらなる酸化の継続により,SiO₂薄膜における負電荷の発生と成長を示す,周波数依存のAC SPVが現れた。これらの結果は,Si Schottky障壁から原子架橋型AC SPVへの変換が発生し,それによりCr誘導負電荷が,(CrOSi)^-および/またはCrO₂^-ネットワークとして記述できるという証拠を提供した。

シソーラス用語： *クロム ,  *ウエハ【IC】 ,  *Schottky障壁 ,  *光起電力 ,  二酸化ケイ素 ,  負電荷 ,  水酸化物 ,  クロム化合物 ,  X線光電子スペクトル ,  *表面光起電力 ,  *シリコンウエハ
準シソーラス用語： *Siウエハ

分類 (1件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (10件)： Cr ,  蒸着 ,  Si ,  ウエハ ,  Schottky障壁 ,  崩壊 ,  原子 ,  架橋 ,  表面光起電力 ,  成長