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J-GLOBAL ID：201202297004466365   整理番号：12A1115375

有機電界効果トランジスタのためのゲート誘電材料としてのポリシルセスキオキサンの研究

Investigation of polysilsesquioxane as a gate dielectric material for organic field-effect transistors

著者 (8件)： KAWAMURA M. (Dep. of Materials Sci. and Chemistry, Wakayama Univ., 930 Sakaedani, Wakayama 640-8510, JPN) ,  NAKAHARA Yoshio (Dep. of Materials Sci. and Chemistry, Wakayama Univ., 930 Sakaedani, Wakayama 640-8510, JPN) ,  OHSE Mitsuhiro (Konishi Chemical Ind. Co., Ltd., 3-4-77 Kozaika, Wakayama 641-0007, JPN) ,  KUMEI Maki (Konishi Chemical Ind. Co., Ltd., 3-4-77 Kozaika, Wakayama 641-0007, JPN) ,  UNO K. (Dep. of Materials Sci. and Chemistry, Wakayama Univ., 930 Sakaedani, Wakayama 640-8510, JPN) ,  SAKAMOTO Hidefumi (Dep. of Materials Sci. and Chemistry, Wakayama Univ., 930 Sakaedani, Wakayama 640-8510, JPN) ,  KIMURA Keiichi (Dep. of Materials Sci. and Chemistry, Wakayama Univ., 930 Sakaedani, Wakayama 640-8510, JPN) ,  TANAKA Ichiro (Dep. of Materials Sci. and Chemistry, Wakayama Univ., 930 Sakaedani, Wakayama 640-8510, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 5  ページ： 053311-053311-4  発行年： 2012年07月30日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低コストプラスチック基板のために十分低温で養生可能なポリシルセスキオキサン(PSQ)をゲート誘電材料として用いて,ペンタセン電界効果トランジスタを作成した。PSQ膜の表面粗さは3-メタクリロキシプロピル基を導入することにより軽減され,フェニル基の導入によりそれらの表面エネルギーはペンタセン層にマッチするように制御された。その結果,キャリア易動度は2桁改善され,0.38cm²V^-1s^-1に達した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ポリシルセスキオキサン ,  共重合体 ,  *MISFET ,  キャリア移動度 ,  *FET【トランジスタ】 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： *絶縁ゲート電界効果トランジスタ ,  *有機電界効果トランジスタ

分類 (3件)： 電子物性一般  (BM01000S) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (3件)： フェニルシルセスキオキサン ,  オクタメチルシルセスキオキサン ,  ペンタセン

タイトルに関連する用語 (5件)： 有機電界効果トランジスタ ,  ゲート ,  誘電材料 ,  ポリシルセスキオキサン ,  研究