文献

J-GLOBAL ID：201202297662277100   整理番号：12A0626838

Au水溶液浸漬によるAu/n-Si(100)ショットキー障壁の形成

Formation of Au/n-Si(100) Schottky Barrier Using Au Aqueous Solution

著者 (2件)： 池田正則 (日本大学工学部電気電子工学科) ,  清水博文 (日本大学工学部電気電子工学科)
資料名： 表面科学  (JSSSJ)
巻： 33  号： 3  ページ： 135-140 (J-STAGE)  発行年： 2012年 
JST資料番号： F0940B  ISSN： 0388-5321  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 著者らは,交流表面光電圧(AC SPV)法,原子間力顕微鏡(AFM)およびX線光電子分光法(XPS)を用いてさまざまな金属を含む水溶液に浸漬したSi表面の状態を調べてきた。本稿ではAu水溶液に浸漬したn型Si(100)におけるAuの分布と電子状態,および熱酸化膜成長に関する研究を紹介した。SiO₂表面およびSiO₂/Si界面においてAuはクラスタとして存在する。SiO₂/Si界面に存在するAuはAu/n-Siショットキー接触を形成し,n型表面を弱反転状態にした。AC SPV周波数特性から,Si表面ポテンシャルは-0.44eV,Au/n-Siショットキー接触の障壁高さは0.73eVでショットキー形成が認められた。これを構成するAuは熱酸化温度750°C以上でSi中に拡散し,AC SPVは減少した。また,熱酸化において膜厚10nm以下の酸化膜では膜成長の増速が生じ,AuがSi(100)表面においてSiO₂成長の触媒として作用することを示している。その機構解明は今後の課題である。

シソーラス用語： *Schottky障壁 ,  *金 ,  *ケイ素 ,  *スペクトロスコピー ,  水溶液 ,  金属クラスタ ,  N型半導体 ,  熱酸化 ,  結晶面 ,  原子間力顕微鏡 ,  X線光電子分光法 ,  粒度依存性
準シソーラス用語： SPVS【分光法】 ,  金クラスター

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

引用文献 (27件)：

• 1) H. Shimizu and C. Munakata: Semicond. Sci. Technol. 6, 756 (1991).
• 2) H. Shimizu and C. Munakata: Jpn. J. Appl. Phys. 30, 2446 (1991).
• 3) H. Shimizu and C. Munakata: J. Appl. Phys. 73, 8336 (1993).
• 4) H. Shimizu and C. Munakata: Jpn. J. Appl. Phys. 32, 3775 (1993).
• 5) H. Shimizu: J. Electrochem. Soc. 144, 4335 (1997).

タイトルに関連する用語 (4件)： Au ,  水溶液 ,  浸漬 ,  ショットキー障壁