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J-GLOBAL ID：201202297857615778   整理番号：12A1584770

3D ICインタポーザにおける低コストABF被覆TSVsの低遅波効果と漏話

Low Slow-Wave Effect and Crosstalk for Low-Cost ABF-Coated TSVs in 3-D IC Interposer

著者 (12件)： CHANG Yu-Jen (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  ZHENG Tai-Yu (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  CHUANG Hao-Hsiang (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  WANG Chuen-De (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  CHEN Peng-Shu (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  KUO Tzu-Ying (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  ZHAN Chau-Jie (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  WU Shih-Hsien (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  LO Wei-Chung (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  LU Yi-Chang (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  CHIOU Yih-Peng (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  WU Tzong-Lin (National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
資料名： Proceedings. Electronic Components & Technology Conference  (Proceedings. Electronic Components & Technology Conference)
巻： 62nd Vol.3  ページ： 1934-1938  発行年： 2012年 
JST資料番号： H0393A  ISSN： 0569-5503  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三次元集積回路(3D IC)では一般にTSVs(スルーシリコンビア)を有するインタポーザが使われる。しかし,一般にTSVs内部に適用されるSiO₂膜は薄いため大きい遅波因子(SWF)変化,高挿入損や高漏話レベルなど課題が多い。本稿では,まず4TSVs系の等価回路モデルを作成し,そのモデルに基づき得た厚い絶縁層の効果を味の素ビルドアップコート(ABFコート)したTSVsで検証実験を行った。その結果,従来のSiO₂コートしたTSVsと比較して,挿入損が3dB向上し,近傍漏話が5dBと遠方漏話が25dB改善された。これらの結果はシミュレーション結果とよく一致した。

シソーラス用語： *集積回路 ,  三次元 ,  固体回路部品 ,  *バイアホール ,  遅波回路 ,  挿入損 ,  漏話 ,  モデル ,  等価回路 ,  *絶縁材料 ,  計算機シミュレーション ,  *絶縁体
準シソーラス用語： インターポーザ ,  *スルーシリコンビア ,  *三次元集積回路 ,  絶縁層 ,  等価回路モデル

分類 (2件)： 混成集積回路  (NC03163K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 3D ,  IC ,  インタポーザ ,  遅波 ,  漏話