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J-GLOBAL ID:201202297996294358   整理番号:12A0546388

AgCd2-xMnxGaSe4合金の光学的及び光電的性質に及ぼす技術的欠陥の影響

Influence of technological defects on the optical and photoelectric properties of AgCd2 - xMnxGaSe4 alloys
著者 (5件):
資料名:
巻: 46  号:ページ: 306-311  発行年: 2012年03月 
JST資料番号: T0093A  ISSN: 1063-7826  CODEN: SMICES  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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この研究はMn→Cd等原子価置換を行ったAgCd2-xMnxGaSe4合金の光電および光学的性質に関連している。光伝導および光ルミネセンスピークの位置を決め,組成分析に基づいて合金のバンドギャップを推定した。合金の光電および光学的性質の特徴への技術的欠陥が及ぼす影響を解析した。合金結晶の光感度を支配する中心はカチオン空格子点であることを確認した。波長0.77から0.88μm(合金の成分間の関連に依存)での発光の原因である光ルミネセンス中心はカチオンとアニオン空格子点から成る複合欠陥である。合金で観測した諸効果を説明する物理的に一貫したモデルを提案する。Copyright 2012 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (3件):
分類
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半導体の格子欠陥  ,  半導体のルミネセンス  ,  光伝導,光起電力 
タイトルに関連する用語 (4件):
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