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J-GLOBAL ID：201202298251047355   整理番号：12A0876829

MoドープTiO₂に及ぼす欠陥の影響の第一原理研究

The Influence of Defects on Mo-Doped TiO₂ by First-Principles Studies

著者 (4件)： YU Xiaohui (Soochow Univ., Suzhou Jiangsu, CHN) ,  HOU Tingjun (Soochow Univ., Suzhou Jiangsu, CHN) ,  SUN Xuhui (Soochow Univ., Suzhou Jiangsu, CHN) ,  LI Youyong (Soochow Univ., Suzhou Jiangsu, CHN)
資料名： ChemPhysChem  (ChemPhysChem)
巻： 13  号： 6  ページ： 1514-1521  発行年： 2012年04月23日 
JST資料番号： W1265A  ISSN： 1439-4235  CODEN： CPCHFT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属ドープTiO₂は光触媒効率の改善を示す。今回,欠陥をもつMoドープTiO₂の電子および光学特性を密度汎関数計算により研究した。ルチル相とアナターゼ相の両方でMoドープ水準の増加と共にバンドギャップが連続的に減少した。Moの4d電子がTiO₂の禁制バンド中に局在状態を導入し,それが吸収端を可視光領域にシフトして光触媒活性を増強する。欠陥はTiO₂やドープしたTiO₂中に普遍的に分布するので酸素空位または格子間Mo原子による酸素欠損の影響を系統的に研究した。Moドープ原子または格子間Moに関連する酸素空位はMoドープTiO₂のスピン分極と磁気モーメントを低減する。さらに酸素欠損はMoドープTiO₂の光触媒活性の増強に負の影響を及ぼす。従来からの結果によると置換型Mo,格子間Mo及び酸素空位はTiO₂の電子/光学特性に異なる影響を持つので異なる利用法を考慮すべきである。

シソーラス用語： *酸化チタン ,  ドーピング ,  *モリブデン ,  *光触媒 ,  触媒活性 ,  *格子欠陥 ,  空格子点 ,  格子間原子 ,  置換型原子 ,  可視吸収スペクトル ,  バンドギャップ ,  スペクトルシフト ,  吸収端 ,  密度汎関数法 ,  局在準位 ,  スピン分極 ,  磁気モーメント ,  第一原理
準シソーラス用語： 禁制バンド

分類 (3件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  結晶中の局在電子構造  (BM02090U) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： Mo ,  ドープ ,  TiO2 ,  欠陥 ,  第一原理 ,  研究