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J-GLOBAL ID:201202298308390752   整理番号:12A0715256

真空熱蒸着による二硫化スズ薄膜の特性に及ぼす焼なましの影響

Influence of annealing on characteristics of tin disulfide thin films by vacuum thermal evaporation
著者 (11件):
資料名:
巻: 520  号: 15  ページ: 4898-4901  発行年: 2012年05月31日 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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この論文では,筆者らはソースとして二硫化スズ(SnS2)粉末を使用する真空熱蒸着によるソーダ石灰ガラス基板上でSnS2薄膜を製作するアプローチについて報告した。SnS2薄膜の化学組成,結晶構造,表面形態,および光バンドギャップに及ぼす焼なましの影響が系統的に調べられた。成長したSnS2薄膜はピンホールもなく,割れもなく,そして2.41eVの光学バンドギャップを有し,非晶質,均質,滑らか,ほぼ化学量論的であった。SnS2薄膜が300°Cで焼なましされた後,SnS2の結晶化が六方晶系相を有する(001)面に沿って選択された方向の特性を有するX線回折と走査電子顕微鏡によって示され,そしてSnS2結晶のシート出現が示された。350°Cの焼なまし温度で,SnS2薄膜は酸化されなかったが,SnS2が結晶化し,少数のピンホールがSnS2薄膜の表面上に現れた。焼なまし温度が400°Cまで増加したとき,SnS2は炉中の微量O2によってSnS2の頂部から底部までほぼ球形のSnS2に徐々に酸化された。それゆえ,筆者らの実験は,真空熱蒸着を使用するSnS2薄膜の焼なまし温度が化合物薄膜太陽電池中のウインドウ層として300°Cを超えるべきではないことを提案した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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その他の無機化合物の薄膜 
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