文献

J-GLOBAL ID：201202298330918370   整理番号：12A1148539

Ni(111)上の二次元ニッケルシリサイドの形成と安定性:Auger,LEED,STM,高分解能光電子研究

Formation and stability of a two-dimensional nickel silicide on Ni(111): An Auger, LEED, STM, and high-resolution photoemission study

著者 (6件)： LALMI B. (Synchrotron SOLEIL, Saint-Aubin, FRA) ,  GIRARDEAUX C. (Aix-Marseille Univ., Marseille, FRA) ,  PORTAVOCE A. (Aix-Marseille Univ., Marseille, FRA) ,  OTTAVIANI C. (ISM, CNR, Roma, ITA) ,  AUFRAY B. (CINaM, CNRS, Marseille, FRA) ,  BERNARDINI J. (Aix-Marseille Univ., Marseille, FRA)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 85  号： 24  ページ： 245306.1-245306.6  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ケイ化物 ,  *ニッケル化合物 ,  光電子分光法 ,  Auger分光法 ,  低速電子回折 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  *安定性 ,  *形成 ,  *ケイ化ニッケル
準シソーラス用語： *ニッケルシリサイド

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (8件)： Ni ,  ニッケルシリサイド ,  安定性 ,  LEED ,  STM ,  高分解能 ,  光電子 ,  研究