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J-GLOBAL ID：201202298493580937   整理番号：12A1102824

表面不動態化におけるInAsナノワイヤの表面状態除去およびバンド端発光の再生

Removal of Surface States and Recovery of Band-Edge Emission in InAs Nanowires through Surface Passivation

著者 (6件)： SUN M.H. (Arizona State Univ., Arizona, USA) ,  JOYCE H.J. (Australia National Univ., ACT, AUS) ,  GAO Q. (Australia National Univ., ACT, AUS) ,  TAN H.H. (Australia National Univ., ACT, AUS) ,  JAGADISH C. (Australia National Univ., ACT, AUS) ,  NING C.Z. (Arizona State Univ., Arizona, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 12  号： 7  ページ： 3378-3384  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAs(111)基板上にMOCVDによりウルツ鉱型(WZ)およびせん亜鉛鉱型(ZB)のヒ化インジウムナノワイヤ(60nm径)を成長させた。オクタデカンチオール溶液により表面を不動態化し,光ルミネセンスを観測した。処理によりWZは表面状態が除去され,バンド端発光が回復して発光スペクトル線幅は1/19に狭まった。ZBは処理により深い表面準位が除去され,若干のバンド端近傍の状態が残存するが,スペクトル線幅は250nmに狭まった。処理後のナノワイヤは空気,水,加熱に安定で,空気中5ケ月でも光ルミネセンスに変化は見られなかった。

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,  *ナノワイヤ ,  *不動態化 ,  表面処理 ,  発光 ,  MOCVD ,  閃亜鉛鉱型結晶 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  結晶成長 ,  光ルミネセンス ,  スペクトル線幅 ,  発光スペクトル ,  表面準位 ,  空気 ,  水 ,  加熱 ,  安定性
準シソーラス用語： バンド端発光

分類 (3件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  固-液界面  (CB12050B)

物質索引 (1件)： 1-オクタデカンチオール

タイトルに関連する用語 (4件)： 表面不動態化 ,  InAs ,  ナノワイヤ ,  バンド端発光