文献

J-GLOBAL ID：201202298590061588   整理番号：12A0684955

分子線エピタキシーによってシリコン基板上に成長したInP/Gd₂O₃ナノワイヤの形態学的,構造的特性

Morphological and structural properties of InP/Gd₂O₃ nanowires grown by molecular beam epitaxy on silicon substrate

著者 (8件)： PENUELAS J. (Univ. de Lyon, Inst. des Nanotechnologies de Lyon (UMR 5270/CNRS), Ecole Centrale de Lyon, 36 avenue Guy de ...) ,  LU X. (Univ. de Lyon, Inst. des Nanotechnologies de Lyon (UMR 5270/CNRS), Ecole Centrale de Lyon, 36 avenue Guy de ...) ,  BLANCHARD N.p. (Lab. de Physique de la Matiere Condensee et Nanostructures (UMR 5586/CNRS), Univ. de Lyon, 6 rue Ampere, domaine ...) ,  SAINT-GIRONS G. (Univ. de Lyon, Inst. des Nanotechnologies de Lyon (UMR 5270/CNRS), Ecole Centrale de Lyon, 36 avenue Guy de ...) ,  VILQUIN B. (Univ. de Lyon, Inst. des Nanotechnologies de Lyon (UMR 5270/CNRS), Ecole Centrale de Lyon, 36 avenue Guy de ...) ,  CREMILLIEU P. (Univ. de Lyon, Inst. des Nanotechnologies de Lyon (UMR 5270/CNRS), Ecole Centrale de Lyon, 36 avenue Guy de ...) ,  MAZURCZYK R. (Univ. de Lyon, Inst. des Nanotechnologies de Lyon (UMR 5270/CNRS), Ecole Centrale de Lyon, 36 avenue Guy de ...) ,  GENDRY M. (Univ. de Lyon, Inst. des Nanotechnologies de Lyon (UMR 5270/CNRS), Ecole Centrale de Lyon, 36 avenue Guy de ...)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 347  号： 1  ページ： 49-52  発行年： 2012年05月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 気液固法の支援型分子線エピタキシーによってシリコン基板上にInPナノワイヤを成長させ,そのナノワイヤ上にGd₂O₃を分子線エピタキシーによって調製し,InP/Gd₂O₃を得た。透過型電子顕微鏡法から,Gd₂O₃ナノ結晶が3と7nmの間の直径を有し,InPナノワイヤの側壁を修飾していることが明らかになった。Gd₂O₃ナノ結晶とInPナノワイヤの間にはエピタキシャルな関係は観測されず,非晶質界面層であった。Gd₂O₃成長温度に依存して,2つの形態が明らかになった。30°Cで成長したGd₂O₃では,ナノワイヤの片側だけに覆われた酸化物ナノ結晶で構成されている異方性ヘテロ構造を観測した。一方,250°Cでは,Gd₂O₃/InPのコア/シェルナノワイヤを確認した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MBE成長 ,  基板 ,  ケイ素 ,  *ナノワイヤ ,  半導体薄膜 ,  *リン化インジウム ,  *酸化ガドリニウム ,  透過型電子顕微鏡 ,  *ナノ結晶 ,  界面 ,  温度依存性 ,  構造 ,  化合物半導体 ,  コアシェル構造
準シソーラス用語： 非晶質界面

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： 分子線エピタキシー ,  シリコン基板 ,  成長 ,  InP ,  Gd2O3 ,  ナノワイヤ ,  形態学 ,  構造的特性