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J-GLOBAL ID：201202299009916973   整理番号：12A0137713

メムリスタを用いた不揮発性メモリシステムの構成

著者 (3件)： 大槻正伸 (福島工高専) ,  一ノ瀬智浩 (東北大 工) ,  西内拓也 (明治大 工)
資料名： 福島工業高等専門学校研究紀要  (Research Reports. National Institute of Technology, Fukushima College)
号： 52  ページ： 19-24  発行年： 2011年12月16日 
JST資料番号： S0713A  ISSN： 0916-6041  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 「メムリスタ(memristor)」とは,電流を流すことによりその抵抗値が変化し,電流を流すのをやめるとその時点での抵抗値を記憶しておくという性質を持つ電気回路素子である。本論文では,メムリスタを用いて”0”,”1”の2値のデータを多数記憶する不揮発性メモリシステムの構成法について考察した。本稿では,まず,一般的なメムリスタについて述べ,続いて本論文で扱う,ヒューレットパッカード社が開発した「Coupled variable-registor model」と呼ばれるメムリスタの数学モデルについて述べた。その上で,メムリスタ1個をもとにした基本ユニットの構成,基本ユニットを制御する制御ユニットと計測ユニットを用いた「基本メモリユニット」の構成について説明した。最後に,これらのユニットを用いた,メモリシステム全体の設計を示した。

シソーラス用語： *半導体素子 ,  記憶素子 ,  抵抗器 ,  *不揮発性メモリ ,  電気回路 ,  記憶構造 ,  記憶方式
準シソーラス用語： *メムリスタ ,  メモリシステム ,  メモリ素子

分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (2件)： メムリスタ ,  不揮発性メモリ