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J-GLOBAL ID：201202299846663978   整理番号：12A0583242

P3HT系有機トランジスタにおける光電子放出及びデバイス性能による接触のキャラクタリゼーション

Contact characterization by photoemission and device performance in P3HT based organic transistors

著者 (6件)： SCHEINERT S. (Ilmenau Technical Univ., Inst. of Micro- and Nanoelectronics and Center of Micro- and Nanotechnologies, PF 100565 ...) ,  GROBOSCH M. (Leibniz Inst. for Solid State and Materials Res. IFW Dresden, PF 270116, D-01171 Dresden, DEU) ,  PAASCH G. (Leibniz Inst. for Solid State and Materials Res. IFW Dresden, PF 270116, D-01171 Dresden, DEU) ,  HOERSELMANN I. (Ilmenau Technical Univ., Inst. of Micro- and Nanoelectronics and Center of Micro- and Nanotechnologies, PF 100565 ...) ,  KNUPFER M. (Leibniz Inst. for Solid State and Materials Res. IFW Dresden, PF 270116, D-01171 Dresden, DEU) ,  BARTSCH J. (Ilmenau Technical Univ., Inst. of Micro- and Nanoelectronics and Center of Micro- and Nanotechnologies, PF 100565 ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 6  ページ： 064502-064502-10  発行年： 2012年03月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機電界効果トランジスタ(OFET)としての有機デバイスの動作は有機層とソース/ドレイン電極物質との接触に決定的に依存する。効率的動作には低いキャリア注入障壁が必要である。有機デバイスの理解を支援するため,光電子分光法を用いて有機/金属界面の性質が測定されてきた。過去10年間に様々なグループによって測定された正孔注入障壁の値は0.5~1eV程度であった。鏡像電荷に基づく障壁低下が,このような障壁を持つ接触をキャリア注入に対して効率的にするのに十分かどうか明かでない。実際,光電子分光用とデバイス用の試料の作製が同時であるような研究結果は報告されていない。ここではAuのソース/ドレイン接触を持つOFETについて,このような研究の結果を示す。Auの仕事関数が4.6eVのAu接触の正孔注入障壁の測定値は0.6eVであった。無秩序有機物のGauss型状態密度(DOS)に対して移動度のキャリア密度及び電界依存性を考慮しても,このような接触では測定されたOFETの電流特性をうまく記述できない。しかし,仕事関数を4.7eV以上にするとうまくいく。光電子データとホッピング輸送状態のGauss型DOSから障壁を決定する方法を考察し,光電子放出から決定した障壁値とデバイスシミュレーションで使われる障壁値との定量的関係を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  FET【トランジスタ】 ,  *ポリヘキシルチオフェン ,  *金 ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  キャリア注入 ,  ポテンシャル障壁 ,  仕事関数 ,  電流電圧特性 ,  X線光電子スペクトル ,  紫外光電子スペクトル
準シソーラス用語： 正孔注入 ,  *有機薄膜トランジスタ

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： P3HT ,  有機トランジスタ ,  光電子放出 ,  キャラクタリゼーション