特許

J-GLOBAL ID：201203000040549979

界面汚染を低減した層を堆積させる方法

発明者： ヴァタス, ジーン アール. ,  タン, ジンソン ,  キム, イワン ,  クップラオ, サティシュ ,  サンチェス, エロール
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 園田 吉隆 ,  小林 義教
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-553102
公開番号（公開出願番号）：特表2012-519962
出願日： 2010年03月04日
公開日（公表日）： 2012年08月30日
要約：

本明細書では、界面汚染を低減した層の堆積方法を開示する。発明の方法は、有利には、堆積させた層間の汚染、例えば堆積させた層とその下にある基板または膜との間の界面の汚染を減少させる。幾つかの実施形態では、層の堆積方法は、第1の層が上に配置されたシリコン含有層を還元性雰囲気中でアニールすることと、アニールの後で、シリコン含有層を露出させるエッチングプロセスを使用して第1の層を除去することと、露出したシリコン含有層の上に第2の層を堆積させることとを含むことができる。

請求項（抜粋）：

第1の層が上に配置されたシリコン含有層を還元性雰囲気中でアニールすることと、 アニールの後で、前記シリコン含有層を露出させるエッチングプロセスを使用して前記第1の層を除去することと、 前記露出させたシリコン含有層上に第2の層を堆積させることと を含む、層の堆積方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20

FI (2件)：

H01L21/205 ,  H01L21/20

Fターム (20件)：

5F045AB02 ,  5F045AB05 ,  5F045AB06 ,  5F045AB09 ,  5F045AF02 ,  5F045BB14 ,  5F045EB13 ,  5F045HA01 ,  5F045HA06 ,  5F152LL03 ,  5F152LL07 ,  5F152LM09 ,  5F152NN01 ,  5F152NN03 ,  5F152NN04 ,  5F152NN05 ,  5F152NQ04 ,  5F152NQ05 ,  5F152NQ06 ,  5F152NQ07

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-225127
  
• 特開平3-270236