特許
J-GLOBAL ID:201203000050360947

熱型赤外線検出方法及び熱型赤外線検出装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 松浦 兼行
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-017454
公開番号(公開出願番号):特開2012-159323
出願日: 2011年01月31日
公開日(公表日): 2012年08月23日
要約:
【課題】ショットキー・バリア・ダイオードを用いた熱型センサを使い、赤外線を検出して温度変化を測定するときに光電変換で起こる誤差を除去し、より正しい測定値を得る。【解決手段】金属薄膜2とSOI層3とは、ショットキー・バリア・ダイオード(以下、ダイオード)1を形成している。熱型センサはダイオード1を用いて構成されている。制御手段6は赤外線発生源20からの光がダイオード1に当たっていない状態で、逆バイアスされているダイオード1に流れる電流値Aと、シャッタ22を開けて、赤外線発生源20から光がダイオード1に当たっている状態で、逆バイアスされているダイオード1に流れる電流値Bと、ダイオード1に光が当たっている状態としたまま、短絡状態にした時のダイオード1に流れる電流値Cを、電流計5に測定させる。そして、計算手段9は(電流値B-電流値C)-電流値Aなどの計算を行い熱型センサの温度変化を推定する。【選択図】図2
請求項(抜粋):
赤外線発生源からの赤外線をショットキー・バリア・ダイオードに入射せず、かつ、前記ショットキー・バリア・ダイオードに逆バイアス電圧を印加した状態で、前記ショットキー・バリア・ダイオードの電流値Aを測定する第1の電流値測定ステップと、 前記赤外線発生源からの赤外線を前記ショットキー・バリア・ダイオードに入射し、かつ、前記ショットキー・バリア・ダイオードに逆バイアス電圧を印加した状態で、前記ショットキー・バリア・ダイオードの電流値Bを測定する第2の電流値測定ステップと、 前記赤外線発生源からの赤外線を前記ショットキー・バリア・ダイオードに入射し、かつ、前記ショットキー・バリア・ダイオードを短絡状態にして、前記ショットキー・バリア・ダイオードの電流値Cを測定する第3の電流値測定ステップと、 前記電流値Bから前記電流値Cを減算した差分値と前記電流値Aとに基づいて計算を行い、前記ショットキー・バリア・ダイオードを用いた熱型センサの温度変化を推定する計算ステップと を含むことを特徴とする熱型赤外線検出方法。
IPC (2件):
G01J 1/42 ,  G01J 1/02
FI (2件):
G01J1/42 B ,  G01J1/02 C
Fターム (5件):
2G065AA04 ,  2G065AB02 ,  2G065BA02 ,  2G065BC16 ,  2G065BC33

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