タンデム太陽電池セル

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山川政樹 , 山川茂樹 , 小池勇三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-052918
公開番号（公開出願番号）：特開2012-190990
出願日： 2011年03月10日
公開日（公表日）： 2012年10月04日
要約：

【課題】より容易に製造できる状態で、2つの太陽電池サブセルの間の良好な電気伝導性が得られて効率よく発電ができるようにする。【解決手段】p型のシリコン基板101およびn型シリコン受光層102を備える第1太陽電池サブセル110と、n型の窒化物半導体からなる半導体基板103の上には、n型窒化物受光層104およびp型窒化物受光層105を備える第3太陽電池サブセル120と、n型の窒化物半導体からなる接合層106とを備える。p型窒化物受光層105およびn型窒化物受光層104は、同じバンドギャップエネルギーとされ、p型窒化物受光層105およびn型窒化物受光層104は、シリコンと半導体基板103との間のバンドギャップエネルギーとされ、p型窒化物受光層105およびn型窒化物受光層104は、シリコンと接合層106との間のバンドギャップエネルギーとされている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

p型のシリコン基板、および前記シリコン基板の上に形成されたn型のシリコンからなるn型シリコン受光層を備える第1太陽電池サブセルと、 n型の窒化物半導体からなる半導体基板の上に結晶成長することで形成された、n型の窒化物半導体からなるn型窒化物受光層およびp型の窒化物半導体からなるp型窒化物受光層を備える第2太陽電池サブセルと、前記p型窒化物受光層の上に形成されたn型の窒化物半導体からなる接合層とを備え、前記n型シリコン受光層および前記接合層が接合されて前記第1太陽電池サブセルおよび前記第2太陽電池サブセルが一体とされ、前記n型シリコン受光層の上に,前記接合層,p型窒化物受光層,n型窒化物受光層,および前記半導体基板が、これらの順に積層され、前記p型窒化物受光層および前記n型窒化物受光層は、同じバンドギャップとされ、前記p型窒化物受光層および前記n型窒化物受光層は、シリコンと前記半導体基板との間のバンドギャップとされ、加えて、前記p型窒化物受光層および前記n型窒化物受光層は、シリコンと前記接合層との間のバンドギャップとされていることを特徴とするタンデム太陽電池セル。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (2件)：

H01L31/04 L , H01L31/04 E

Fターム (10件)：

5F151AA02 , 5F151AA08 , 5F151CB08 , 5F151CB19 , 5F151DA03 , 5F151DA13 , 5F151DA16 , 5F151FA06 , 5F151FA18 , 5F151GA04

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