特許
J-GLOBAL ID：201203000673378219
メッキ膜の応力測定方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大井 正彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-140743
公開番号（公開出願番号）：特開2012-002784
出願日： 2010年06月21日
公開日（公表日）： 2012年01月05日
要約：
【課題】メッキ膜の応力を簡単なシステムによって高い精度で測定することができる方法を提供する。【解決手段】基端が固定された長尺な箔状の金属よりなる試験用基体を有する試験片を用い、前記試験用基体の一面にメッキ膜を形成した後、この試験用基体の先端位置について、前記メッキ膜が形成される前の試験用基体の一面に垂直な方向における基準位置からの変位量を測定し、測定された変位量に基づいて前記メッキ膜の応力を算出するメッキ膜の応力測定方法であって、前記試験用基体の先端の変位量は、レーザ変位計またはカメラ撮影像による像解析によって測定されることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基端が固定された長尺な箔状の金属よりなる試験用基体を有する試験片を用い、前記試験用基体の一面にメッキ膜を形成した後、この試験用基体の先端位置について、前記メッキ膜が形成される前の試験用基体の一面に垂直な方向における基準位置からの変位量を測定し、測定された変位量に基づいて前記メッキ膜の応力を算出するメッキ膜の応力測定方法であって、
前記試験用基体の先端の変位量は、レーザ変位計またはカメラ撮影像による像解析によって測定されることを特徴とするメッキ膜の応力測定方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (1件)：
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