特許

J-GLOBAL ID：201203001155297783

グラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法

発明者： 千葉 喜寛
出願人/特許権者： JX日鉱日石金属株式会社
代理人 (2件)： 赤尾 謙一郎 ,  下田 昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-127973
公開番号（公開出願番号）：特開2012-183581
出願日： 2011年06月08日
公開日（公表日）： 2012年09月27日
要約：

【課題】大面積のグラフェンを低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。【解決手段】圧延平行方向及び圧延直角方向の60度光沢度が共に500%以上であり、1000°Cで1時間加熱後の平均結晶粒径が200μm以上であるグラフェン製造用銅箔である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

圧延平行方向及び圧延直角方向の60度光沢度が共に500%以上であり、1000°Cで1時間加熱後の平均結晶粒径が200μm以上であるグラフェン製造用銅箔。

IPC (5件)：

B21B 1/40 ,  C01B 31/02 ,  B21B 3/00 ,  B21B 27/02 ,  B21B 27/10

FI (5件)：

B21B1/40 ,  C01B31/02 101Z ,  B21B3/00 L ,  B21B27/02 A ,  B21B27/10 B

Fターム (23件)：

4E002AA08 ,  4E002AD05 ,  4E002AD13 ,  4E002BB09 ,  4E002BC02 ,  4E002BC05 ,  4E002BC07 ,  4E002BC08 ,  4E002CB03 ,  4E016AA02 ,  4E016DA11 ,  4E016DA18 ,  4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AD22 ,  4G146AD24 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BC27 ,  4G146BC33B ,  4G146BC42 ,  4G146CB15 ,  4G146CB21

引用文献：

審査官引用 (1件)

• マイクロ波プラズマCVDによるグラフェン膜の低温合成 Low-temperature graphene film synthesis using