メタクリロキシ基もしくはアクリロキシ基を有するポリオルガノシルセスキオキサンを含む半導体絶縁膜用組成物

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-156217
公開番号（公開出願番号）：特開2012-009796
出願日： 2010年06月22日
公開日（公表日）： 2012年01月12日
要約：

【課題】メタクリロキシ基もしくはアクリロキシ基を有するポリオルガノシルセスキオキサンを含む半導体絶縁膜用組成物と、それを用いた薄膜の製造方法、及びそれによって有機溶媒に耐性を示す絶縁膜を提供する。【解決手段】メタクリロキシ基もしくはアクリロキシ基を有するポリオルガノシルセスキオキサンに、ビニルモノマーおよび重合開始剤を加えて半導体絶縁膜用組成物とし、スピンコート法などで塗布した後、加熱または紫外線照射によってビニル基のラジカル重合を行ない、続いてアルコキシ基の縮合重合により複合的に硬化させてシリコーン系絶縁膜(PSQ膜)を製造する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

一般式(1)で表される、ポリオルガノシルセスキオキサンに重合開始剤を混合し、有機溶媒を配合してなる半導体絶縁膜用組成物。

IPC (8件)：

H01L 21/312 , C08G 77/20 , C08G 77/50 , C09D 5/25 , C09D 183/07 , C09D 183/10 , C09D 4/00 , C09D 7/12

FI (9件)：

H01L21/312 C , C08G77/20 , C08G77/50 , C09D5/25 , C09D183/07 , C09D183/10 , C09D4/00 , C09D7/12 , H01L21/312 D

Fターム (58件)：

4J038DL101 , 4J038DL111 , 4J038FA111 , 4J038FA121 , 4J038FA131 , 4J038FA261 , 4J038JA66 , 4J038KA03 , 4J038NA04 , 4J038NA21 , 4J038PA19 , 4J038PB09 , 4J038PC08 , 4J246AA03 , 4J246AA11 , 4J246BA12X , 4J246BA120 , 4J246BB02X , 4J246BB020 , 4J246BB022 , 4J246BB27X , 4J246BB270 , 4J246BB273 , 4J246CA14U , 4J246CA14X , 4J246CA140 , 4J246CA24X , 4J246CA240 , 4J246CA40X , 4J246CA400 , 4J246CA46X , 4J246CA460 , 4J246CA65U , 4J246CA65X , 4J246CA650 , 4J246EA03 , 4J246EA05 , 4J246FA071 , 4J246FA131 , 4J246FA421 , 4J246FA541 , 4J246FA762 , 4J246FB051 , 4J246FE27 , 4J246GB23 , 4J246GC52 , 4J246GD08 , 4J246HA63 , 5F058AA03 , 5F058AA05 , 5F058AA07 , 5F058AC03 , 5F058AC06 , 5F058AC07 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AG09 , 5F058AH04

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