特許
J-GLOBAL ID：201203002447589390
UMG-SI材料精製のためのプロセス管理
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (12件)：
清水 初志
, 春名 雅夫
, 山口 裕孝
, 刑部 俊
, 井上 隆一
, 佐藤 利光
, 新見 浩一
, 小林 智彦
, 渡邉 伸一
, 大関 雅人
, 五十嵐 義弘
, 川本 和弥
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-508494
公開番号（公開出願番号）：特表2012-525316
出願日： 2010年02月10日
公開日（公表日）： 2012年10月22日
要約：
溶融UMG-Siの方向性凝固を実施してシリコンインゴットを形成することによる、UMG-Si精製のためのプロセス管理方法を記載する。インゴットをブリックに分割し、各シリコンブリックの抵抗率プロファイルをマッピングする。方向性凝固の間にインゴット中に濃縮および捕捉される不純物を除去するためのトリミングラインが、抵抗率マップに基づいて算出される。次いで、濃縮された不純物が、各ブリックの算出されたトリミングラインに沿ってそのブリックをトリミングすることにより除去される。
請求項（抜粋）：
溶融UMG-Siの方向性凝固を実施して、シリコンインゴットを形成する工程;
該シリコンインゴットを複数のブリックに分割する工程;
該複数のブリックのそれぞれについて抵抗率プロファイルをマッピングする工程;
該抵抗率マップに基づいて、濃縮された不純物を除去するためのトリミングラインを該複数のブリックのそれぞれについて算出する工程;および
該トリミングラインに沿って該複数のブリックをそれぞれトリミングする工程
を含む、UMG-Si精製のための方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
4G072AA01
, 4G072GG01
, 4G072GG03
, 4G072GG04
, 4G072MM08
, 4G072MM38
, 4G072RR21
, 4G072TT19
, 4G072UU02
