特許
J-GLOBAL ID：201203002474803574

表示装置

発明者：
木村 肇

木村 肇 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-246099
公開番号（公開出願番号）：特開2012-083762
出願日： 2011年11月10日
公開日（公表日）： 2012年04月26日
要約：
【課題】画素電極上に金属膜を形成して積層構造とする際に、1つのレジストマスクを用いて、画素電極及び金属膜を形成することを課題とする。【解決手段】画素電極となる導電膜と金属膜を積層させる。金属膜上に半透部を有する露光マスクを用いて、膜厚の厚い領域と該領域よりも膜厚が薄い領域とを有するレジストパターンを形成する。レジストパターンを用いて画素電極と、画素電極上の一部に接する金属膜を形成する。以上により、1つのレジストマスクを用いて、画素電極及び金属膜を形成することが可能となる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板上の薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタに電気的に接続する画素電極と、 前記画素電極上に接する金属膜とを有し、 前記薄膜トランジスタはゲート電極上にゲート絶縁膜を介して島状半導体膜を有し、 前記画素電極は、導電層を介して前記島状半導体膜と電気的に接続し、 前記画素電極には段差部があり、前記金属膜は前記画素電極の前記段差部を覆うように、前記画素電極と接しており、 前記金属膜から露出する前記画素電極は平坦な面上に形成されており、 前記画素電極の前記段差部は、前記島状半導体膜と重なる前記画素電極部分にあることを特徴とする表示装置。
IPC (9件)：
G09F 9/30 ,  G02F 1/136 ,  H05B 33/08 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/26 ,  H05B 33/06 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/768
FI (8件)：
G09F9/30 338 ,  G02F1/1368 ,  H05B33/08 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/26 Z ,  H05B33/06 ,  H01L29/78 612D ,  H01L21/90 C
Fターム (142件)：
2H092GA29 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA46 ,  2H092JB13 ,  2H092JB54 ,  2H092JB57 ,  2H092JB58 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092KA12 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092NA27 ,  2H092QA09 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC45 ,  3K107DD25 ,  3K107DD30 ,  3K107DD38 ,  3K107DD39 ,  3K107EE04 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094DA13 ,  5C094EA04 ,  5C094FB12 ,  5C094HA07 ,  5C094HA08 ,  5F033GG04 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ20 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK04 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ24 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033TT02 ,  5F033VV15 ,  5F033XX33 ,  5F033XX34 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG51 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK02 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL12 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HL27 ,  5F110HM03 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN16 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP23 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ21 ,  5F110QQ28
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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