半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： , , ,
代理人 (5件)：小池晃 , 伊賀誠司 , 藤井稔也 , 野口信博 , 祐成篤哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-050409
公開番号（公開出願番号）：特開2012-188294
出願日： 2011年03月08日
公開日（公表日）： 2012年10月04日
要約：

【課題】高品質なIII族窒化物を結晶成長させ、高品質な半導体装置を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】窒化サファイア基板をアルカリエッチングし、窒化サファイア基板を清浄化する。その後、III族窒化物を結晶成長させることにより、極めて高品質なN極性結晶を得ることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒化サファイア基板をアルカリエッチングし、該窒化サファイア基板を清浄化する清浄化工程と、前記清浄化された窒化サファイア基板上にIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物成長工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (12件)：

C30B 29/38 , C23C 14/02 , C23C 14/06 , H01L 21/203 , H01L 33/32 , H01L 33/12 , H01L 31/10 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 27/12 , H01L 29/786

FI (11件)：

C30B29/38 C , C30B29/38 D , C23C14/02 Z , C23C14/06 A , H01L21/203 Z , H01L33/00 186 , H01L33/00 140 , H01L31/10 A , H01L29/80 H , H01L27/12 S , H01L29/78 615

Fターム (77件)：

4G077AA03 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077DA03 , 4G077ED06 , 4G077HA12 , 4G077TB08 , 4G077TK01 , 4G077TK10 , 4K029AA07 , 4K029AA24 , 4K029BA58 , 4K029BB02 , 4K029BD01 , 4K029CA02 , 4K029DB20 , 4K029FA01 , 4K029FA04 , 4K029GA01 , 5F041AA40 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA22 , 5F041CA40 , 5F049MB07 , 5F049NA13 , 5F049PA04 , 5F049PA14 , 5F049SS01 , 5F049SS08 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD10 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GS01 , 5F102GT03 , 5F102GV07 , 5F103AA08 , 5F103AA10 , 5F103BB06 , 5F103BB22 , 5F103BB60 , 5F103DD01 , 5F103GG01 , 5F103HH04 , 5F103HH07 , 5F103LL03 , 5F103PP01 , 5F103PP03 , 5F103RR05 , 5F110AA01 , 5F110BB13 , 5F110CC01 , 5F110DD04 , 5F110DD12 , 5F110DD25 , 5F110EE02 , 5F110EE14 , 5F110FF02 , 5F110GG04 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK22 , 5F141AA40 , 5F141CA04 , 5F141CA05 , 5F141CA12 , 5F141CA22 , 5F141CA40

前のページに戻る