特許
J-GLOBAL ID:201203003721705129
放射線検出器
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
中島 淳
, 加藤 和詳
, 福田 浩志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-037616
公開番号(公開出願番号):特開2012-154933
出願日: 2012年02月23日
公開日(公表日): 2012年08月16日
要約:
【課題】放射線の検出感度を維持しつつ、電線と電極部との剥離を抑制できる。【解決手段】検出可能領域上に充填される第1充填材444は、原子番号9以下の元素で構成されているので、原子番号9を超える元素で構成される場合に比して、放射線の透過性がよい。このため、検出可能領域において、放射線の検出感度が維持できる。また、バイアス電極401と電線とが接続される接続部は、弾性を有する第2充填材445が充填されているため、硬化性を有する充填材に比して、延長電極部431と高電圧線432との密着性が保て、高電圧線432と延長電極部431との剥離を抑制できる。このように、本実施形態では、延長電極部431と高電圧線432とが接続される接続部と検出可能領域とで充填材を使い分けることにより、放射線の検出感度を維持しつつ、高電圧線432と電極部との剥離を抑制する。【選択図】図5
請求項(抜粋):
放射線が入射されることにより電荷を生成する電荷変換層と、
前記電荷変換層下に2次元状に配列され、前記電荷変換層が生成した電荷を収集する下部電極部と、
前記電荷変換層が生成した電荷を前記下部電極部から読み出すスイッチ素子と、
前記2次元状に配列された下部電極部が設けられる基板と、
前記電荷変換層上に形成され、前記電荷変換層へバイアス電圧を印加するための上部電極部と、
前記下部電極部が電荷を収集することにより放射線を検出可能な検出可能領域の外側に前記上部電極部から延長された延長電極部と、
前記検出可能領域の外側で前記延長電極部に接続され、前記延長電極部から前記上部電極部を介して前記電荷変換層へバイアス電圧を印加するための電線と、
前記電荷変換層が収容される第1空間と、前記電線が前記延長電極部に接続される接続部分が収容され、かつ前記電荷変換層の無い第2空間と、を仕切ることで、当該第1空間と当該第2空間とを隔離する壁と、
前記検出可能領域上を含む前記第1空間に充填され、原子番号9以下の元素で構成される第1充填材と、
前記第2空間に充填され、前記第1充填材よりも弾性を有し、前記第1充填材と異なる第2充填材と、
を備えたことを特徴とする放射線検出器。
IPC (8件):
G01T 1/24
, A61B 6/00
, H01L 31/09
, H01L 27/144
, H01L 27/146
, H01L 27/14
, G01T 7/00
, H01L 31/10
FI (8件):
G01T1/24
, A61B6/00 300S
, H01L31/00 A
, H01L27/14 K
, H01L27/14 C
, H01L27/14 D
, G01T7/00 A
, H01L31/10 E
Fターム (54件):
2G088GG21
, 2G088JJ05
, 2G088JJ10
, 2G088JJ31
, 2G088JJ33
, 2G088JJ35
, 2G088JJ37
, 4C093AA01
, 4C093EB13
, 4C093EB17
, 4C093EB20
, 4C093FA32
, 4C093FA59
, 4M118AB01
, 4M118BA05
, 4M118CA14
, 4M118CA32
, 4M118CB05
, 4M118CB14
, 4M118EA01
, 4M118EA14
, 4M118FB03
, 4M118FB13
, 4M118FB16
, 4M118HA02
, 4M118HA24
, 4M118HA25
, 4M118HA29
, 5F049MA14
, 5F049MA20
, 5F049MB01
, 5F049NA01
, 5F049NA20
, 5F049NB10
, 5F049PA06
, 5F049RA02
, 5F049RA08
, 5F049SE05
, 5F049SS01
, 5F049UA01
, 5F049UA04
, 5F049WA07
, 5F088AA09
, 5F088AA11
, 5F088AB09
, 5F088BA01
, 5F088BA20
, 5F088BB07
, 5F088CA05
, 5F088EA04
, 5F088EA08
, 5F088FA05
, 5F088GA02
, 5F088LA08
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