特許

J-GLOBAL ID：201203003980015173

半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 飯塚 和幸 ,  渡邊 優洋
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 高田 幸彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-278043
公開番号（公開出願番号）：特開2012-129298
出願日： 2010年12月14日
公開日（公表日）： 2012年07月05日
要約：

【課題】光取り出し効率の高い半導体発光素子を提供する。【解決手段】導電性を有する支持基板S上に、反射金属膜26を介して、円錐台形状を有し発光領域となる活性層232を有する化合物半導体からなる化合物半導体発光ユニットUを複数個並設した構造を有している。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

導電性を有する支持基板と、 前記支持基板の一方面上に形成された反射金属層と、 互いに反対側に位置し略平行をなす略円形状の第一の主表面及び第一の主表面より大面積の第二の主表面並びに前記第一の主表面と前記第二の主表面を連結する側面によって円錐台形状をなし、前記第一の主表面と前記第二の主表面との間に第一の導電型層、前記第一の導電型層に隣接する発光領域として機能する活性層、活性層に隣接する第二の導電型層を有する複数の化合物半導体発光ユニットと、 前記化合物半導体発光ユニットの前記第一の主表面の一部にコンタクトした電極と、を具備することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01L 33/10 ,  H01L 33/20 ,  H01L 33/38

FI (3件)：

H01L33/00 130 ,  H01L33/00 170 ,  H01L33/00 210

Fターム (20件)：

5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA37 ,  5F041CA65 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98 ,  5F041CB15 ,  5F141AA03 ,  5F141AA04 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA37 ,  5F141CA65 ,  5F141CA88 ,  5F141CA92 ,  5F141CA98 ,  5F141CB15