特許

J-GLOBAL ID：201203004183037117

受光デバイス、半導体エピタキシャルウエハ、これらの製造方法、および検出装置

発明者： 猪口 康博
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (2件)： 特許業務法人ハートクラスタ ,  渡辺 征一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-055549
公開番号（公開出願番号）：特開2012-191130
出願日： 2011年03月14日
公開日（公表日）： 2012年10月04日
要約：

【課題】近赤外域〜遠赤外域にわたって高い受光感度を持ち、製造が容易であり、安定して高品質が得られる、受光デバイス、半導体エピタキシャルウエハ、これらの製造方法、および検出装置を提供する。【解決手段】III-V族半導体基板と、III-V族半導体基板の上に位置し、(InAs/GaSb)が繰り返し積層された多重量子井戸構造の受光層3とを備え、III-V族半導体基板がInAs基板1であることを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

III-V族半導体によって形成された受光デバイスであって、 III-V族半導体基板と、 前記III-V族半導体基板の上に位置し、(InAs/GaSb)が繰り返し積層された多重量子井戸構造の受光層とを備え、 前記III-V族半導体基板がInAs基板であることを特徴とする、受光デバイス。

IPC (5件)：

H01L 31/10 ,  G01J 1/02 ,  H01L 27/144 ,  H01L 27/146 ,  H01L 21/205

FI (6件)：

H01L31/10 A ,  G01J1/02 B ,  G01J1/02 Q ,  H01L27/14 K ,  H01L27/14 F ,  H01L21/205

Fターム (48件)：

2G065AB02 ,  2G065AB03 ,  2G065BA02 ,  2G065BA14 ,  2G065BA32 ,  4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA19 ,  4M118CA03 ,  4M118CA05 ,  4M118CA15 ,  4M118CB01 ,  4M118CB02 ,  4M118CB14 ,  4M118GA02 ,  4M118GA10 ,  4M118HA22 ,  4M118HA31 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB09 ,  5F045AF04 ,  5F045CA13 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045EB14 ,  5F049MA03 ,  5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049MB12 ,  5F049NA01 ,  5F049NA05 ,  5F049NA08 ,  5F049NA13 ,  5F049PA04 ,  5F049PA14 ,  5F049QA02 ,  5F049QA16 ,  5F049QA17 ,  5F049QA18 ,  5F049RA03 ,  5F049RA04 ,  5F049SE05 ,  5F049SE12 ,  5F049SS04 ,  5F049SZ02 ,  5F049TA05 ,  5F049WA01