特許
J-GLOBAL ID：201203004542988530
前方散乱・後方散乱補正装置、前方散乱・後方散乱補正方法、及び前方散乱・後方散乱補正プログラム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 小笠原特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-075929
公開番号（公開出願番号）：特開2012-209519
出願日： 2011年03月30日
公開日（公表日）： 2012年10月25日
要約：
【課題】前方散乱・後方散乱に起因する、現像後にレジストに形成されるレジストパターンと設計上のレジストパターンとのズレを軽減すること。【解決手段】描画パターン寸法に依存した蓄積エネルギー分布を計算し、算出した蓄積エネルギー分布に基づいて現像後パターンを予測し、予測した現像後パターンと描画面積密度とに基づいて、描画パターンを描画するための露光量を補正する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたレジスト膜にマスクパターンを露光によって描画する描画工程において、当該描画の際に生じる前方散乱及び後方散乱の影響を考慮して露光量を補正する前方散乱・後方散乱補正装置であって、
前記レジスト膜に描画すべき描画パターンの各部のパターン寸法に応じた前方散乱及び後方散乱によるエネルギー量を考慮して、前記露光の際に、前記レジスト膜の各部の前記描画パターンに蓄積される、当該前方散乱及び後方散乱を考慮したエネルギーの分布を求める蓄積エネルギー取得部と、
前記蓄積エネルギー取得部が求めた前記エネルギーの分布に基づいて、前記描画パターンを露光によって現像した場合の現像後の前記パターン寸法を予測して取得する現像後パターン寸法取得部と、
前記現像後パターン寸法取得部が取得した前記現像後のパターン寸法、及び、前記描画パターンの各区画の描画面積密度に基づいて、当該描画パターンの各部のパターン寸法毎に、最適露光量を求める最適露光量取得部と、
前記最適露光量取得部が求めた前記描画パターンの各部のパターン寸法毎の最適露光量に基づいて、当該描画パターン全体について最適露光量を算出し、当該描画パターンを前記レジスト膜に描画するための露光量を補正する露光量補正部とを備える、前方散乱・後方散乱補正装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5F056CC12
, 5F056CC13
, 5F056CC14
, 5F056CD11
, 5F056DA07
