特許

J-GLOBAL ID：201203004722405559

半導体発光素子の製造方法

発明者： 新田 康一 ,  藤本 英俊
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (3件)： 砂井 正之 ,  藤原 康高 ,  山下 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-252407
公開番号（公開出願番号）：特開2012-104677
出願日： 2010年11月11日
公開日（公表日）： 2012年05月31日
要約：

【課題】信頼性に優れた高発光効率の半導体発光素子を実現する。【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体発光素子の製造方法は、半導体発光素子ウエハを形成する工程、及びP型コンタクト層表面に多数の微細な凹凸を形成する工程を有する。半導体発光素子ウエハを形成する工程では、基板の第1主面にエピタキシャル成長法を用いて組成の異なるエピ層を積層形成して、最上層にP型コンタクト層を設ける。P型コンタクト層表面に多数の微細な凹凸を形成する工程では、エピ層形成後、エピタキシャル成長を実施した反応炉で水素とアンモニアの混合ガス中或いは窒素とアンモニアの混合ガス中で熱処理を行う。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

基板の第1主面に半導体層を積層形成して、最上層にP型半導体層が設けられた半導体発光素子ウエハを形成する工程と、 前記半導体発光素子ウエハを熱処理炉に載置し、水素とアンモニアの混合ガス中或いは窒素とアンモニアの混合ガス中で熱処理を行い、前記半導体発光素子のP型半導体層表面に多数の微細な凹凸を形成する工程と、 を具備することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/22 ,  H01L 33/32

FI (2件)：

H01L33/00 172 ,  H01L33/00 186

Fターム (26件)：

5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA34 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA77 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36 ,  5F141AA03 ,  5F141AA04 ,  5F141AA34 ,  5F141AA43 ,  5F141AA44 ,  5F141CA04 ,  5F141CA12 ,  5F141CA40 ,  5F141CA65 ,  5F141CA73 ,  5F141CA77 ,  5F141CB15 ,  5F141CB36