特許

J-GLOBAL ID：201203005060228143

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 曽根原 岳志
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (2件)： 伊丹 勝 ,  田村 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-205195
公開番号（公開出願番号）：特開2012-064254
出願日： 2010年09月14日
公開日（公表日）： 2012年03月29日
要約：

【課題】データ書き込み/消去時の動作特性を改善した不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】不揮発性半導体記憶装置の書き込み/消去部は、データの書き込み又は消去の際、選択メモリセルのメモリ素子の物理状態が遷移しない範囲内の電気エネルギーを有し、選択メモリセルの整流素子に対して電荷を蓄積させる第1の電気パルスを供給する。第1の電気パルスを供給した後、所定のパルス間隔を置いて、第1の電気パルスよりも電気的エネルギーが大きく、選択メモリセルのメモリ素子に対して当該メモリ素子の物理状態を遷移させる第2の電気パルスを供給する。【選択図】図12

請求項（抜粋）：

第1の配線、前記第1の配線に交差する第2の配線、並びに前記第1及び第2の配線の交差部に設けられたメモリセルを有するメモリセルアレイと、 前記第1及び第2の配線によって選択されたメモリセルに対してデータの書き込み/消去を行う書き込み/消去部と を備え、 前記メモリセルは、電気エネルギーによって物理状態が遷移するメモリ素子及び整流素子を直列接続して構成され、 前記書き込み/消去部は、データの書き込み又は消去の際、 前記選択メモリセルのメモリ素子の物理状態が遷移しない範囲内の電気エネルギーを有し、前記選択メモリセルの整流素子に対して電荷を蓄積させる第1の電気パルスを前記選択メモリセルに供給し、 前記第1の電気パルスを供給した後、所定のパルス間隔を置いて、前記第1の電気パルスよりも電気的エネルギーが大きく、前記選択メモリセルのメモリ素子に対して当該メモリ素子の物理状態を遷移させる第2の電気パルスを前記選択メモリセルに供給する ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 13/00 ,  H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (4件)：

G11C13/00 A ,  H01L27/10 448 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

Fターム (14件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA07 ,  5F083LA10