特許

J-GLOBAL ID：201203005094729877

半導体装置内蔵基板モジュール及びその実装構造、並びに、半導体装置内蔵基板モジュールの製造方法

発明者： 脇坂 伸治
出願人/特許権者： 株式会社テラミクロス
代理人 (1件)： 鹿嶋 英實
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-074108
公開番号（公開出願番号）：特開2012-209432
出願日： 2011年03月30日
公開日（公表日）： 2012年10月25日
要約：

【課題】半導体チップを内蔵した基板モジュールにおいて、当該半導体チップの上面側と下面側に設けられた配線層や電極を導通する構成を設けた場合であっても、基板モジュールの平面サイズを小型化することができるとともに、良好な回路特性を実現することができる半導体装置内蔵基板モジュール及びその実装構造並びにその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置内蔵基板モジュール10は、コア基板11に設けられた開口部11hに半導体装置20が埋め込まれ、コア基板11の上面側及び下面側に積層配線が設けられている。半導体装置20は、シリコン基板21の上面に形成された集積回路と、シリコン基板21の上面側及び下面側に設けられた配線層25a、25b、外部接続用の柱状電極26a、26b、第1、第2の封止層27a、27bと、シリコン基板21の上面側と下面側を導通し、配線層25a、25bに接続された貫通電極22cと、を有している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

上面から下面にかけて貫通する開口部が設けられた絶縁性基板と、 上面及び下面に接続パッドが設けられた半導体基板と、前記上面の接続パッドに接続するように前記半導体基板の上面側に設けられた第1の接続用電極と、前記第1の接続用電極の周側部を覆うように設けられた第1の封止層と、前記下面の接続パッドに接続するように前記半導体基板の下面側に設けられた第2の接続用電極と、前記第2の接続用電極の周側部を覆うように設けられた第2の封止層とを有し、且つ前記絶縁性基板の前記開口部内に埋め込まれた半導体装置と、 前記半導体装置の上面側に、前記半導体基板の前記第1の接続用電極に接続するように設けられた第1の配線層と、 前記半導体装置の下面側に、前記半導体基板の前記第2の接続用電極に接続するように設けられた第2の配線層と、 を備えることを特徴とする半導体装置内蔵基板モジュール。

IPC (5件)：

H01L 23/12 ,  H01L 25/10 ,  H01L 25/11 ,  H01L 25/18 ,  H05K 3/46

FI (5件)：

H01L23/12 N ,  H01L25/14 Z ,  H05K3/46 Q ,  H05K3/46 N ,  H05K3/46 B

Fターム (12件)：

5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA43 ,  5E346BB16 ,  5E346BB20 ,  5E346EE31 ,  5E346FF04 ,  5E346FF45 ,  5E346GG17 ,  5E346GG22 ,  5E346GG28 ,  5E346HH22