特許

J-GLOBAL ID：201203005196053169

シリコン中の不純物の測定方法

発明者： クアト ボーナウアー-クレップ
出願人/特許権者： ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (10件)： 久野 琢也 ,  高橋 佳大 ,  来間 清志 ,  星 公弘 ,  二宮 浩康 ,  住吉 秀一 ,  篠 良一 ,  上島 類 ,  宮城 康史 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-245758
公開番号（公開出願番号）：特開2012-102009
出願日： 2011年11月09日
公開日（公表日）： 2012年05月31日
要約：

【課題】調査されるべきシリコン中の不純物の測定を光ルミネッセンスもしくはFTIR又はその両方を用いて行うことを可能とするための、フロートゾーン法によるシリコン中の不純物濃度の希薄化を利用した測定方を提供する。【解決手段】調査されるべきシリコンからゾーン引き上げによって単結晶ロッドを作成し、この単結晶ロッドを、少なくとも1回の希薄化工程で、規定の炭素濃度及びドーパント濃度を有する単結晶もしくは多結晶のシリコン製のスリーブ中に導入し、そして該ロッド及びスリーブからゾーン引き上げによって希薄化されたシリコン製の単結晶ロッドを作成し、その希薄化された単結晶ロッドをもとに、調査されるべきシリコン中の不純物の測定を光ルミネッセンスもしくはFTIR又はその両方を用いて行う、シリコン中の不純物の測定方法によって解決される。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

シリコン中の不純物の測定方法であって、調査されるべきシリコンからゾーン引き上げによって単結晶ロッドを作成し、この単結晶ロッドを、少なくとも1回の希薄化工程で、規定の炭素濃度及びドーパント濃度を有する単結晶もしくは多結晶のシリコン製のスリーブ中に導入し、そして該ロッド及びスリーブからゾーン引き上げによってシリコン製の希薄化された単結晶ロッドを作成し、その希薄化された単結晶ロッドをもとに、調査されるべきシリコン中の不純物の測定を光ルミネッセンスもしくはFTIR又はその両方を用いて行う前記測定方法。

IPC (3件)：

C30B 29/06 ,  C30B 13/04 ,  C01B 33/02

FI (3件)：

C30B29/06 501A ,  C30B13/04 ,  C01B33/02 E

Fターム (15件)：

4G072AA01 ,  4G072BB12 ,  4G072GG03 ,  4G072TT19 ,  4G072UU01 ,  4G072UU02 ,  4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CE03 ,  4G077EC10 ,  4G077EG25 ,  4G077GA01 ,  4G077GA06 ,  4G077HA20 ,  4G077NA05