特許

J-GLOBAL ID：201203005294886322

センサ

発明者： 西口 克彦 ,  藤原 聡
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹 ,  小池 勇三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-180798
公開番号（公開出願番号）：特開2012-042216
出願日： 2010年08月12日
公開日（公表日）： 2012年03月01日
要約：

【課題】全体のシステムを複雑にすることなく、微小信号がより高速に検出できるようにする。【解決手段】第1細線チャネル101aより構成される第1電界効果トランジスタ101と、第2細線チャネル102aより構成される第2電界効果トランジスタ102と、第1細線チャネル101aの一方に接続するとともに第2細線チャネル102aに容量を介して接続する電荷蓄積部103と、第1細線チャネル101aの他方に接続する電子溜め部104と、第1電界効果トランジスタ101のゲート電極および電子溜め部104に対する電荷注入制御電圧を制御して電子溜め部104から電荷蓄積部103への電荷の注入を制御する蓄積電荷制御部105と、第2電界効果トランジスタ102に流れる電流値の、蓄積電荷制御部105による制御の前後における変化を検出する電流検出部106とを備える。【選択図】 図1A

請求項（抜粋）：

第1細線チャネルより構成される第1電界効果トランジスタと、 第2細線チャネルより構成される第2電界効果トランジスタと、 前記第1細線チャネルの一方に接続するとともに前記第2細線チャネルに容量を介して接続する電荷蓄積部と、 前記第1細線チャネルの他方に接続する電子溜め部と、 前記第1電界効果トランジスタのゲート電極および前記電子溜め部に対する電荷注入制御電圧を制御して前記電子溜め部から前記電荷蓄積部への電荷の注入を制御する蓄積電荷制御手段と、 前記電荷蓄積部への電荷の注入による電界をゲート電圧として動作する前記第2電界効果トランジスタに流れる電流値の、前記蓄積電荷制御手段による前記制御の前後における変化を検出する電流検出手段と、 前記蓄積電荷制御手段の制御により前記電荷蓄積部へ注入された電荷の数を、前記電流検出手段が検出した電流値の変化により算出する電荷数算出手段と、 この電荷数算出手段が算出した電荷の数より前記電子溜め部および前記第1電界効果トランジスタのゲート電極のいずれかに入力された信号の変化を導出する信号検出手段と を備えることを特徴とするセンサ。

IPC (2件)：

G01D 3/028 ,  G01R 19/00

FI (2件)：

G01D3/04 F ,  G01R19/00 C

Fターム (7件)：

2F075AA05 ,  2F075EE04 ,  2F075EE16 ,  2G035AA13 ,  2G035AB13 ,  2G035AC02 ,  2G035AD03