特許
J-GLOBAL ID：201203006070136138

半導体装置の製造方法及び基板処理装置システム

発明者：
山本 克彦

山本 克彦 について

, 
竹林 雄二

竹林 雄二 について

, 
齋藤 達之

齋藤 達之 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (1件)： 特許業務法人アイ・ピー・エス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-227649
公開番号（公開出願番号）：特開2012-084602
出願日： 2010年10月07日
公開日（公表日）： 2012年04月26日
要約：
【課題】絶縁膜中の欠陥を低減する半導体装置の製造方法及び基板処理装置システムを提供する。【解決手段】金属膜としてのTiN膜及び絶縁膜としてのZrO2膜が形成されたウエハを処理室へ搬入し、この処理室にZrO2膜を改質する改質ガスとしてO2を供給し、このウエハに電磁波を照射することにより、ZrO2膜を構成する双極子を励起してZrO2膜を改質し、ウエハを処理室から搬出する。【選択図】図10
請求項（抜粋）：
2種以上の元素を含む双極子で構成される薄膜が形成された基板を処理室へ搬入する工程と、 前記処理室に薄膜を改質する改質ガスを供給する工程と、 前記基板に電磁波を照射することにより、薄膜を構成する双極子を励起して薄膜を改質する工程と、 前記基板を前記処理室から搬出する工程と、 を有する半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/56
FI (5件)：
H01L21/316 P ,  H01L21/31 B ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 X ,  C23C16/56
Fターム (37件)：
4K030AA03 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA18 ,  4K030BA22 ,  4K030BA38 ,  4K030BA42 ,  4K030DA08 ,  4K030HA01 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AB31 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045EE19 ,  5F045EF09 ,  5F045HA16 ,  5F045HA17 ,  5F045HA24 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF04 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ04
引用特許：
審査官引用 (7件)
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