特許

J-GLOBAL ID：201203006339589878

酸化インジウム系化合物を含むブラスト処理物の濃縮方法

発明者： 加納 純也 ,  齋藤 文良 ,  松田 和男 ,  星山 健
出願人/特許権者： 国立大学法人東北大学 ,  株式会社ダイトク
代理人 (1件)： 特許業務法人みのり特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-095164
公開番号（公開出願番号）：特開2012-223729
出願日： 2011年04月21日
公開日（公表日）： 2012年11月15日
要約：

【課題】酸化インジウム系化合物(主にITO)を含むブラスト処理物からブラスト材を効率よく除去し、酸化インジウム系化合物の比率を高めることができる実用化可能な方法を提供する。【解決手段】酸化インジウム系化合物を含むブラスト処理物を濃縮する方法であって、酸化インジウム系化合物と植物系ブラスト材とを含むブラスト処理物を焼成することによって、前記ブラスト材を燃焼し、ブラスト処理物中の酸化インジウム系化合物の比率を高める工程を含むことを特徴とする。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸化インジウム系化合物を含むブラスト処理物を濃縮する方法であって、 酸化インジウム系化合物と植物系ブラスト材とを含むブラスト処理物を焼成することによって、前記ブラスト材を燃焼し、ブラスト処理物中の酸化インジウム系化合物の比率を高める工程を含むことを特徴とする、ブラスト処理物の濃縮方法。

IPC (3件)：

B09B 5/00 ,  C01G 15/00 ,  B09B 3/00

FI (5件)：

B09B5/00 C ,  C01G15/00 B ,  B09B3/00 303A ,  B09B3/00 303Z ,  B09B5/00 Z

Fターム (19件)：

4D004AA12 ,  4D004AA16 ,  4D004AA22 ,  4D004AA24 ,  4D004BA05 ,  4D004CA01 ,  4D004CA02 ,  4D004CA30 ,  4D004CA50 ,  4D004CB04 ,  4D004CB34 ,  4D004CB50 ,  4D004CC02 ,  4D004CC20 ,  4K001AA15 ,  4K001BA22 ,  4K001BA24 ,  4K001CA01 ,  4K001CA02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 基板処理方法及び基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-327884   出願人：エプソンイメージングデバイス株式会社
• 酸化In系スクラップ粉からブラスト粉を分離する粉末濃縮方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-342844   出願人：三井金属鉱業株式会社
• 廃液晶パネルのガラス基板を回収する方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-052912   出願人：シャープ株式会社
• ブラスト加工用研掃材及びブラスト加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-212794   出願人：株式会社不二機販