特許
J-GLOBAL ID:201203006728975104

分割方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 青木 宏義 ,  天田 昌行 ,  岡田 喜雅 ,  菅野 亨 ,  溝口 勉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-221565
公開番号(公開出願番号):特開2012-079800
出願日: 2010年09月30日
公開日(公表日): 2012年04月19日
要約:
【課題】サファイアウェーハの分割によって形成される発光デバイスの輝度を向上できる分割方法を提供すること。【解決手段】本発明の分割方法は、表面に発光層412が積層されたサファイアウェーハWの裏面Wbに分割予定ラインに沿う切削溝401を形成する切削溝形成工程と、サファイアウェーハWの内部に分割予定ラインに沿う改質層402を形成する改質層形成工程と、改質層402を起点としてサファイアウェーハWを個々の発光デバイス411に分割し、各発光デバイス411の裏面側の角部を切削溝形成工程で形成された切削溝401によって面取りされた状態とする分割工程とを有する構成とした。【選択図】図5
請求項(抜粋):
分割予定ラインによって区画された領域の表面側に発光層が形成されたサファイアウェーハを前記分割予定ラインに沿って分割する分割方法であって、 前記サファイアウェーハの裏面側から前記分割予定ラインに沿ってサファイアを透過する波長のレーザービームを照射することによって前記分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、 前記サファイアウェーハの裏面側から切削ブレードによって切削することによって前記分割予定ラインに沿って切削溝を形成して面取り加工を施す切削溝形成工程と、 前記改質層形成工程及び前記切削溝形成工程の後に前記改質層及び前記切削溝の頂点を起点として前記分割予定ラインに沿って前記サファイアウェーハを分割する分割工程と、を含むことを特徴とする分割方法。
IPC (5件):
H01L 21/301 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/40 ,  B23K 26/38 ,  B28D 5/00
FI (8件):
H01L21/78 B ,  H01L21/78 Q ,  B23K26/00 H ,  B23K26/40 ,  B23K26/38 320 ,  B28D5/00 A ,  H01L21/78 R ,  H01L21/78 V
Fターム (13件):
3C069AA02 ,  3C069AA03 ,  3C069BA04 ,  3C069BA08 ,  3C069BB04 ,  3C069CA05 ,  3C069CA06 ,  3C069EA02 ,  4E068AD00 ,  4E068AE01 ,  4E068CA09 ,  4E068DA09 ,  4E068DB11
引用特許:
審査官引用 (7件)
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