特許

J-GLOBAL ID：201203006747041368

半導体デバイス及びその製造方法

発明者： 中田 充
出願人/特許権者： 日本放送協会
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-040280
公開番号（公開出願番号）：特開2012-178439
出願日： 2011年02月25日
公開日（公表日）： 2012年09月13日
要約：

【課題】本発明は、良質な酸化物半導体のチャネル領域と、チャネル領域の抵抗率よりも低い抵抗率でソース・ドレイン領域にも適用可能な低抵抗領域とが形成され、オン電流、キャリア移動度及び信頼性が高く、ヒステリシス性が小さい良好な電気特性を、工程数を増やすことなく実現できる半導体デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】酸化物半導体をチャネル材料に用いた半導体デバイスの製造方法であって、 薄膜領域21と、該薄膜領域よりも膜厚の厚い厚膜領域22、23とを有する酸化物半導体膜20を形成する工程と、 前記酸化物半導体膜にエネルギービームを照射し、前記薄膜領域と前記厚膜領域の抵抗率を膜厚に応じて変化させる工程と、 前記薄膜領域をチャネル領域21aとし、前記厚膜領域を低抵抗領域22a、23aとして前記半導体デバイスを形成する工程と、を有することを特徴とする。【選択図】図1E

請求項（抜粋）：

酸化物半導体をチャネル材料に用いた半導体デバイスの製造方法であって、 薄膜領域と、該薄膜領域よりも膜厚の厚い厚膜領域とを有する酸化物半導体膜を形成する工程と、 前記酸化物半導体膜にエネルギービームを照射し、前記薄膜領域と前記厚膜領域の抵抗率を膜厚に応じて変化させる工程と、 前記薄膜領域をチャネル領域とし、前記厚膜領域を低抵抗領域として前記半導体デバイスを形成する工程と、を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L29/78 616L ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 618D ,  H01L29/78 618B

Fターム (24件)：

5F110AA02 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE42 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ30 ,  5F110HK31 ,  5F110HL22 ,  5F110NN33