半導体用フィルムおよび半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：増田達哉 , 朝比一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-233966
公開番号（公開出願番号）：特開2012-089630
出願日： 2010年10月18日
公開日（公表日）： 2012年05月10日
要約：

【課題】基板の凹凸やワイヤの埋め込み性が高く、かつ、安定してワイヤボンディングすることが可能な半導体用フィルム、および信頼性の高い半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体用フィルム10は、接着層3と、第1粘着層1と、第2粘着層2と、支持フィルム4とがこの順で積層されてなり、接着層3の第1粘着層1と反対側の面に半導体ウエハー7を積層させ、この状態で該半導体ウエハー7および接着層3を切断してそれぞれ個片化し、得られた個片を支持フィルム4からピックアップする際に用いる半導体用フィルムであって、接着層3を130°Cで加熱した際の、接着層3の初期の溶融粘度が100Pa・s以下であり、接着層3を130°Cで30分間加熱した際の、接着層3の溶融粘度が1,000Pa以上であり、接着層3を130°Cで30分間加熱した後の、接着層3の175°Cにおける弾性率が1MPa以上であることを特徴とするものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

接着層と少なくとも1層の粘着層と支持フィルムとがこの順で積層されてなり、前記接着層の前記粘着層と反対側の面に半導体ウエハーを積層させ、この状態で該半導体ウエハーおよび前記接着層を切断してそれぞれ個片化し、得られた個片をピックアップする際に用いる半導体用フィルムであって、前記接着層を130°Cで加熱した際の、前記接着層の初期の溶融粘度が100Pa・s以下であり、前記接着層を130°Cで30分間加熱した際の、前記接着層の溶融粘度が1,000Pa・s以上であり、前記接着層を130°Cで30分間加熱した後の、前記接着層の175°Cにおける弾性率が1MPa以上であることを特徴とする半導体用フィルム。

IPC (7件)：

H01L 21/301 , C09J 7/02 , C09J 201/00 , C09J 133/00 , C09J 163/00 , C09J 161/04 , H01L 21/52

FI (7件)：

H01L21/78 M , C09J7/02 Z , C09J201/00 , C09J133/00 , C09J163/00 , C09J161/04 , H01L21/52 E

Fターム (75件)：

4J004AA01 , 4J004AA05 , 4J004AA10 , 4J004AA12 , 4J004AA13 , 4J004AA16 , 4J004AB01 , 4J004AB05 , 4J004AB07 , 4J004CA03 , 4J004CA04 , 4J004CA06 , 4J004CC02 , 4J004CE01 , 4J004CE03 , 4J004EA06 , 4J004FA05 , 4J004FA08 , 4J040BA202 , 4J040CA001 , 4J040DF001 , 4J040DF002 , 4J040DK012 , 4J040DN072 , 4J040EB031 , 4J040EB032 , 4J040EC001 , 4J040EC002 , 4J040EF282 , 4J040EG002 , 4J040EH032 , 4J040FA132 , 4J040FA292 , 4J040GA05 , 4J040GA07 , 4J040GA11 , 4J040HB03 , 4J040HB18 , 4J040HB22 , 4J040HB35 , 4J040HC01 , 4J040HC10 , 4J040HC15 , 4J040HC23 , 4J040HD30 , 4J040JA02 , 4J040JA09 , 4J040JB02 , 4J040JB07 , 4J040JB09 , 4J040KA12 , 4J040KA13 , 4J040KA16 , 4J040KA17 , 4J040KA23 , 4J040KA26 , 4J040KA42 , 4J040LA06 , 4J040MA04 , 4J040MA10 , 4J040NA20 , 4J040PA20 , 4J040PA23 , 4J040PA42 , 5F047AA11 , 5F047AA17 , 5F047BA23 , 5F047BA33 , 5F047BA34 , 5F047BA35 , 5F047BA36 , 5F047BA37 , 5F047BA39 , 5F047BB13 , 5F047BB19

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