特許

J-GLOBAL ID：201203007862495212

半導体装置の製造方法

発明者： 寺口 信明
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人あーく特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-099720
公開番号（公開出願番号）：特開2012-231081
出願日： 2011年04月27日
公開日（公表日）： 2012年11月22日
要約：

【課題】水素を用いた熱分解において、水素濃度を規定してエッチング速度を制御することで、半導体装置の製造方法の加工精度を向上させる。【解決手段】半導体装置1の製造方法は、基板10に窒化物半導体で形成された第1層(障壁層25)および第2層(キャップ層26)を順に堆積させる堆積工程と、窒素および水素の混合雰囲気中で加熱して第2層をエッチングする熱エッチング工程とを備える。熱エッチング工程では、水素濃度が1%以上20%以下であることが望ましい。【選択図】図1G

請求項（抜粋）：

基板の上に窒化物半導体で形成された第1層および第2層が堆積された半導体装置の製造方法であって、 前記基板に前記第1層および前記第2層を順に堆積させる堆積工程と、 窒素および水素の混合雰囲気中で加熱して前記第2層をエッチングする熱エッチング工程とを備え、 前記熱エッチング工程では、水素濃度が1%以上20%以下であること を特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49

FI (3件)：

H01L21/302 201A ,  H01L29/80 H ,  H01L29/58 G

Fターム (32件)：

4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB14 ,  4M104BB33 ,  4M104CC05 ,  4M104DD28 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD78 ,  4M104FF17 ,  4M104FF31 ,  4M104GG08 ,  4M104HH20 ,  5F004BA19 ,  5F004DA24 ,  5F004DB19 ,  5F004EA06 ,  5F004EA23 ,  5F004EA35 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GT06 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15