特許
J-GLOBAL ID:201203007933986140
固体撮像装置、撮像装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
新居 広守
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-175664
公開番号(公開出願番号):特開2012-039261
出願日: 2010年08月04日
公開日(公表日): 2012年02月23日
要約:
【課題】絞り機構がなくても光量を調整することが可能で、高照度下においても広いダイナミックレンジにて撮像することが可能な固体撮像装置を提供する。【解決手段】半導体基板20の表面に形成された光電変換素子11を備える画素部1が二次元状に複数個配列した撮像領域を有する固体撮像装置であって、光電変換素子11の上に形成された、誘電体からなる層間膜24と、層間膜24の上に、画素部単位で、または、複数の画素部からなる画素ブロック単位で形成された、電圧印加により光の透過率が変化する光減衰フィルタ16と、半導体基板20内であって光減衰フィルタ16に対応して形成され、光減衰フィルタ16への電圧印加経路を確保または遮断する選択トランジスタとを備える。【選択図】図4
請求項(抜粋):
半導体基板表面に形成された光電変換素子を備える画素部が二次元状に配列された撮像領域を有する固体撮像装置であって、
前記光電変換素子の上に形成された、誘電体からなる層間膜と、
前記層間膜の上に、画素部ごとに、または、複数の画素部からなる画素ブロックごとに対応して形成された、電圧印加により光の透過率が変化する光減衰フィルタと、
前記半導体基板内に前記光減衰フィルタに対応して形成され、前記光減衰フィルタへの電圧印加経路を接続または遮断するためのスイッチングトランジスタとを備える
固体撮像装置。
IPC (3件):
H04N 5/369
, H04N 5/355
, H01L 27/14
FI (3件):
H04N5/335 690
, H04N5/335 550
, H01L27/14 D
Fターム (21件):
4M118AA02
, 4M118AB01
, 4M118BA10
, 4M118CA02
, 4M118FA06
, 4M118GC07
, 4M118GC20
, 4M118GD04
, 4M118GD07
, 4M118HA02
, 4M118HA30
, 5C024AX01
, 5C024CX43
, 5C024EX12
, 5C024EX52
, 5C024EX56
, 5C024GX03
, 5C024GY01
, 5C024GY31
, 5C024HX47
, 5C024HX50
引用特許:
審査官引用 (3件)
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撮像装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-096966
出願人:キヤノン株式会社
-
撮像システム、及び可変フィルタの制御方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-308457
出願人:松下電器産業株式会社
-
撮像装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-193217
出願人:キヤノン株式会社
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