ポリシラザンを用いたリバーストーン画像の形成のためのハードマスク方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：江崎光史 , 鍛冶澤實 , 上西克礼 , 虎山一郎
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-548793
公開番号（公開出願番号）：特表2012-517612
出願日： 2009年03月30日
公開日（公表日）： 2012年08月02日
要約：

本発明は、デバイス上にリバーストーン画像を形成するための方法であって、a)基材上に任意選択的に吸光性有機下層を形成し; b)下層上にフォトレジストのコーティングを形成し; c)フォトレジストパターンを形成し; d)フォトレジストパターン上に、ポリシラザンコーティング溶液からポリシラザンコーティングを形成し、ここで、ポリシラザンコーティングはフォトレジストパターンよりも厚く、更にここで、ポリシラザンコーティング組成物は、ケイ素/窒素ポリマー及び有機コーティング溶剤を含み; e)ポリシラザンコーティングをエッチングして、少なくともフォトレジストの上端の高さまでポリシラザンコーティングを除去して、フォトレジストパターンが現れるようにし; そしてf)フォトレジスト、及びフォトレジストの下にある下層をドライエッチングして除去して、フォトレジストパターンが存在していた所の下に開口を形成することを含む方法に関する。本発明は更に上記方法の製造物及び上記方法を用いて製造される微細電子デバイスにも関する。

請求項（抜粋）：

デバイス上にリバーストーン画像を形成する方法であって、 a)任意選択的に、基材上に吸光性有機下層を形成すること; b)下層上にフォトレジストのコーティングを形成すること; c)フォトレジストパターンを形成すること; d)フォトレジストパターン上に、ポリシラザンコーティング組成物からポリシラザンコーティングを形成すること、ここで、ポリシラザンコーティングはフォトレジストパターンよりも厚く、更にここで、ポリシラザンコーティング組成物は、ケイ素/窒素ポリマー及び有機コーティング溶剤を含み; e)ポリシラザンコーティングをエッチングして、少なくとも、フォトレジストパターンの上端が現れる高さまでポリシラザンコーティングを除去すること; 及び f)フォトレジスト、及びフォトレジストの下にある下層をドライエッチングにより除去して、フォトレジストパターンが存在していた所の下に開口を形成すること、を含む上記方法。

IPC (3件)：

G03F 7/40 , G03F 7/11 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F7/40 511 , G03F7/11 503 , H01L21/30 573

Fターム (32件)：

2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096CA05 , 2H096EA03 , 2H096EA05 , 2H096EA23 , 2H096FA01 , 2H096GA08 , 2H096HA05 , 2H096HA23 , 2H096JA02 , 2H096JA03 , 2H096JA04 , 2H125AE04N , 2H125AF29N , 2H125AF38N , 2H125AM13N , 2H125AM23N , 2H125AN38N , 2H125AN38P , 2H125AN39N , 2H125AN39P , 2H125BA01N , 2H125BA24N , 2H125CA12 , 2H125CB09 , 2H125CC03 , 2H125CC15 , 2H125DA22 , 5F146MA19 , 5F146NA19 , 5F146PA07

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-341304 出願人：株式会社ルネサステクノロジ
パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-103727 出願人：株式会社東芝
特許第6221562号

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