特許
J-GLOBAL ID：201203008617251509
電界印加マイクロ波照射によるゾル-ゲル膜とこれを用いた発光素子、受光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-020835
公開番号（公開出願番号）：特開2012-160653
出願日： 2011年02月02日
公開日（公表日）： 2012年08月23日
要約：
【課題】原料費と製造コストが安く、かつ歩留まりが良い半導体薄膜と、この半導体薄膜を用いた発光素子、並びに受光素子と、これらの製造方法を開発することが課題である。【解決手段】 ゾル状態の酸化亜鉛を基板上にスピンコート法で塗布する際と、ゲル状態の酸化亜鉛薄膜を乾燥、及び結晶化する際に、電界印加状態でマイクロ波を照射してZn+-O-結合を回転させ電界方向にそろえて、結晶品質の良い酸化亜鉛薄膜を形成させる。次に、この酸化亜鉛薄膜を用いて、図6(a) から(c)のpn接合を形成することで原料費と製造コストが安く、かつ歩留まりが良い発光素子と受光素子が得られる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
極性を有する半導体薄膜をゾル-ゲル法で形成するプロセスにおいて、スピンコート法でゾル液を基板上に塗布する際、または炉内でゾル-ゲル膜を乾燥・結晶化する際に、電界印加状態で行うことを特徴とする薄膜形成方法、及びこの方法を用いた半導体薄膜。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L33/00 182
, H01L31/10 A
5F041AA42
, 5F041CA02
, 5F041CA41
, 5F041CA67
, 5F049MA02
, 5F049MB01
, 5F049PA20
, 5F141AA42
, 5F141CA02
, 5F141CA41
, 5F141CA67
