特許

J-GLOBAL ID：201203009500914678

ぺロブスカイト型酸化物薄膜EL素子

発明者： 高島 浩
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
代理人 (1件)： 七條 耕司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-131876
公開番号（公開出願番号）：特開2011-258416
出願日： 2010年06月09日
公開日（公表日）： 2011年12月22日
要約：

【課題】下部電極上に、酸化物ぺロブスカイト薄膜からなる絶縁層/発光層/絶縁層を作製し、その上に上部電極が作製されたぺロブスカイト型酸化物薄膜EL素子によって、ディスプレイ作成の基礎となる波長610nm近傍の赤色発光を得ること。【解決手段】単結晶研磨基板からなる下部電極1と、下部電極1上に成膜された誘電体である酸化物ペロブスカイト薄膜からなる下部絶縁層2と、下部絶縁層2上に成膜された酸化物ペロブスカイト薄膜からなる発光層3と、発光層3上に成膜された誘電体である酸化物ペロブスカイト薄膜からなる上部絶縁層4と、上部絶縁層4上に成膜された透明な上部電極5とからなることを特徴とする酸化物ぺロブスカイト薄膜EL素子である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下部電極と、該下部電極上に成膜された絶縁体である酸化物ペロブスカイト薄膜からなる下部絶縁層と、該下部絶縁層上に成膜された酸化物ペロブスカイト薄膜からなる発光層と、該発光層上に成膜された絶縁体である酸化物ペロブスカイト薄膜からなる上部絶縁層と、該上部絶縁層上に成膜された透明な上部電極とからなることを特徴とするぺロブスカイト型酸化物薄膜EL素子。

IPC (5件)：

H05B 33/14 ,  H05B 33/02 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/22 ,  H05B 33/26

FI (5件)：

H05B33/14 Z ,  H05B33/02 ,  H05B33/12 C ,  H05B33/22 Z ,  H05B33/26 Z

Fターム (18件)：

3K107AA07 ,  3K107AA09 ,  3K107BB01 ,  3K107CC06 ,  3K107CC12 ,  3K107CC22 ,  3K107CC23 ,  3K107CC43 ,  3K107CC45 ,  3K107DD03 ,  3K107DD13 ,  3K107DD46Z ,  3K107DD51 ,  3K107DD54 ,  3K107DD95 ,  3K107DD99 ,  3K107EE10 ,  3K107FF14