特許
J-GLOBAL ID:201203010139910733
蛍光体、半導体発光素子及び蛍光体の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人 安富国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-223099
公開番号(公開出願番号):特開2012-077182
出願日: 2010年09月30日
公開日(公表日): 2012年04月19日
要約:
【課題】蛍光特性を低下させることなく、耐湿性を大幅に改善することができ、かつ、高い分散性を有する蛍光体、該蛍光体を用いた半導体発光素子及び蛍光体の製造方法を提供する。【解決手段】最表面に向かって、蛍光体母体と中間層と表面層とを有する蛍光体であって、ケイ素に対するアルカリ土類金属のモル比が1.5以上であり、かつ、該蛍光体1gを35°Cの純水1000ml中に10分間浸漬した時のストロンチウムの溶出量が50ppm以下であり、かつ、ケイ素の溶出量が10ppm以下であることを特徴とする蛍光体。【選択図】なし
請求項(抜粋):
最表面に向かって、蛍光体母体と中間層と表面層とを有する蛍光体であって、
ケイ素に対するアルカリ土類金属のモル比が1.5以上であり、かつ、
該蛍光体1gを35°Cの純水1000ml中に10分間浸漬した時のストロンチウムの溶出量が50ppm以下であり、かつ、ケイ素の溶出量が10ppm以下であることを特徴とする蛍光体。
IPC (5件):
C09K 11/08
, C09K 11/59
, C09K 11/64
, C09K 11/66
, C09K 11/73
FI (5件):
C09K11/08 G
, C09K11/59
, C09K11/64
, C09K11/66
, C09K11/73
Fターム (19件):
4H001CA06
, 4H001CC04
, 4H001CC11
, 4H001XA06
, 4H001XA07
, 4H001XA08
, 4H001XA09
, 4H001XA12
, 4H001XA13
, 4H001XA14
, 4H001XA15
, 4H001XA16
, 4H001XA17
, 4H001XA20
, 4H001XA30
, 4H001XA31
, 4H001XA35
, 4H001XA38
, 4H001XA56
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