特許

J-GLOBAL ID：201203010213606944

半導体装置の製造方法及び基板処理装置

発明者： 佐藤 武敏 ,  境 正憲 ,  加我 友紀直
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (4件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-210590
公開番号（公開出願番号）：特開2012-067328
出願日： 2010年09月21日
公開日（公表日）： 2012年04月05日
要約：

【課題】 処理室内に供給した原料ガスの分圧を短時間で上昇させ、薄膜の成膜速度を高める。【解決手段】 処理室に接続されるガス供給管に設けられた第1のガス溜め部内に不活性ガスを充填しつつ、第1のガス溜め部よりも下流側のガス供給管に設けられた第2のガス溜め部内に原料ガスを充填する工程と、第1のガス溜め部と第2のガス溜め部との間のガス供給管に設けられた開閉弁、及び第2のガス溜め部と処理室との間のガス供給管に設けられた開閉弁をそれぞれ開いて、第1のガス溜め部内に充填された不活性ガスにより、第2のガス溜め部内に充填された原料ガスを処理室内に圧送する工程と、を有する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

処理室に接続されるガス供給管に設けられた第1のガス溜め部内に不活性ガスを充填しつつ、前記第1のガス溜め部よりも下流側の前記ガス供給管に設けられた第2のガス溜め部内に原料ガスを充填する工程と、 前記第1のガス溜め部と前記第2のガス溜め部との間の前記ガス供給管に設けられた開閉弁、及び前記第2のガス溜め部と前記処理室との間の前記ガス供給管に設けられた開閉弁をそれぞれ開いて、前記第1のガス溜め部内に充填された不活性ガスにより、前記第2のガス溜め部内に充填された原料ガスを前記処理室内に圧送する工程と、を有する ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

C23C 16/455 ,  C01B 21/06 ,  H01L 21/285

FI (3件)：

C23C16/455 ,  C01B21/06 A ,  H01L21/285 C

Fターム (15件)：

4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA18 ,  4K030BA38 ,  4K030EA01 ,  4K030EA11 ,  4K030FA10 ,  4K030GA12 ,  4K030HA01 ,  4K030KA41 ,  4M104BB30 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45